IGBT Дискретный

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

650

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oC   @ Tc=135oc

240

120

A

Ясм

пульсирующий Коллектор текущий  tp ограниченный По tjmax

360

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

893

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

650

v

Яf

Диод Непрерывный Прямой Ток   @ Tc=25oc @ Tc=80oc

177

120

A

ЯФм

Диод максимальный Прямой текущий  tp ограниченный По tjmax

360

A

Символ

описание

ценности

единица

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +175

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-55 до +150

oc

tС

Температура пайки,1.6mm from case for 10-е

260

oc

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc=120A,VGE=15В, tj=25oc

1.40

1.85

v

Яc=120A,VGE=15В, tj=150oc

1.70

Яc=120A,VGE=15В, tj=175oc

1.75

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=1.92Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.1

5.8

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc

250

УА

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

200

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

/

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

14.1

НФ

cре

Обратная передача Пропускная способность

0.42

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15 ...+15В

0.86

uC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=120A,  rg=7.5Ω,

vGE=±15В, Я...С=40НН- Да.tj=25oc

68

NS

tr

Время нарастания

201

NS

td(off)

Выключение время задержки

166

NS

tf

Время спада

54

NS

eна

Включить переход потеря

7.19

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

2.56

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=120A,  rg=7.5Ω,

vGE=±15В, Я...С=40НН- Да.tj=150oc

70

NS

tr

Время нарастания

207

NS

td(off)

Выключение время задержки

186

NS

tf

Время спада

106

NS

eна

Включить переход потеря

7.70

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

2.89

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=300V,Ic=120A,  rg=7.5Ω,

vGE=±15В, Я...С=40НН- Да.tj=175oc

71

NS

tr

Время нарастания

211

NS

td(off)

Выключение время задержки

195

NS

tf

Время спада

139

NS

eна

Включить переход потеря

7.80

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

2.98

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤6μs,vGE=15В,

tj=150 oC,VСк.= 300 В, vСМК≤650V

600

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед напряжение

Яf=120A,VGE=0V,Tj=25oc

1.65

2.10

v

Яf=120A,VGE=0V,Tj= 150oc

1.60

Яf=120A,VGE=0V,Tj= 175oc

1.60

tРР

Обратный диод  время восстановления

vr=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15 В Я...С=40НН- Да.tj=25oc

184

NS

qr

Восстановленная зарядка

1.65

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

17.2

A

erec

Обратное восстановление энергетики

0.23

МГ

tРР

Обратный диод  время восстановления

vr=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15 В Я...С=40НН- Да.tj=150oc

221

NS

qr

Восстановленная зарядка

3.24

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

23.1

A

erec

Обратное восстановление энергетики

0.53

МГ

tРР

Обратный диод  время восстановления

vr=300V,If=120A,

-di/dt=450A/μs,VGE= 15 В Я...С=40НН- Да.tj=175oc

246

NS

qr

Восстановленная зарядка

3.98

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

26.8

A

erec

Обратное восстановление энергетики

0.64

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)Соединение с корпусом (на D)йода)

0.168 0.369

K/W

rТГА

Соединение с окружающей средой

40

K/W