1200 В 300 А
Краткое введение
Модуль IGBT , созданный StarPower. 1200 В, 300 А.
Особенности
Типовой Применения
Абсолютное Максимальное Рейтинги т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Описание | GD300SGU120C2S | Единицы |
VCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | в |
VGES | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | в |
Ic | Ток коллектора @ TC=25℃ @ TC=80°C | 440 300 | A |
МКК | Импульсный ток коллектора tp=1ms | 600 | A |
IF | Диод Непрерывный Прямой Ток @ TC=80℃ | 300 | A |
ИФМ | Максимальный прямой ток диода tp=1ms | 600 | A |
ПД | Максимальная мощность рассеяния @ Tj=150℃ | 2272 | В |
Tjmax | Максимальная температура стыка | 150 | ℃ |
ТСТГ | Диапазон температур хранения | -40 до +125 | ℃ |
Визо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min | 4000 | в |
Крутящий момент крепления | Свинцовый конец сигнального устройства:M4 | От 1.1 до 2.0 |
|
Крепежный винт силового терминала:M6 | 2,5 до 5,0 | Н.М | |
Монографный винт:M6 | 3,0 - 5,0 |
|
Электрический Характеристики из IGBT т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
V ((BR) CES | Сборщик-выпускник Предельное напряжение | Tj=25°C | 1200 |
|
| в |
ICES | Ток коллектора отключения ток | ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С |
|
| 5.0 | mA |
IGES | Ток утечки излучателя врат | ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С |
|
| 400 | НД |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
VGE (th) | Пороговое напряжение выпускателя | IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C | 4.4 | 5.2 | 6.0 | в |
VCE(sat) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C |
| 3.10 | 3.55 |
в |
IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C |
| 3.45 |
|
Смена характеристик
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C = 300A, р g =3,3Ω, в GE =±15В, т j =25 ℃ |
| 662 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 142 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 633 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 117 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 19.7 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 22.4 |
| mJ | |
т Д (НА ) | Время задержки включения |
в CC = 600 В,I C = 300A, р g =3,3Ω, в GE =±15В, т j =125 ℃ |
| 660 |
| NS |
т р | Время нарастания |
| 143 |
| NS | |
т Д (ВЫКЛЮЧЕННЫЙ ) | Выключение Время задержки |
| 665 |
| NS | |
т F | Время спада |
| 137 |
| NS | |
е НА | Включить Переключение Потеря |
| 24.9 |
| mJ | |
е ВЫКЛЮЧЕННЫЙ | Выключатель Потеря |
| 28.4 |
| mJ | |
C ies | Входной пропускной способностью |
в СЕ =30В, f=1МГц, в GE =0В |
| 25.3 |
| НФ |
C - Да. | Выходной объем |
| 2.25 |
| НФ | |
C res | Обратная передача Пропускная способность |
| 0.91 |
| НФ | |
Я SC |
Данные SC | т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В, т j =125 °C, в CC = 900 В, в СМК ≤ 1200 В |
|
2550 |
|
A |
Л СЕ | Индуктивность отклоняющейся |
|
|
| 20 | nH |
р CC+EE | Модуль свинцовый Сопротивление, Терминал на чип |
|
|
0.18 |
|
мОм |
Электрический Характеристики из Диод т C =25 ℃ если только иначе отмечено
Символ | Параметр | Условия испытаний | Мин. | Тип. | Макс. | Единицы | |
в F | Диод вперед Напряжение | Я F =300А | т j =25 ℃ |
| 1.82 | 2.25 | в |
т j =125 ℃ |
| 1.95 |
| ||||
Q р | Восстановлено заряд | Я F = 300A, в р =600 В, р g =3,3Ω, в GE = 15 В | т j =25 ℃ |
| 29.5 |
| μC |
т j =125 ℃ |
| 42.3 |
| ||||
Я RM | Пик обратный Ток восстановления | т j =25 ℃ |
| 210 |
| A | |
т j =125 ℃ |
| 272 |
| ||||
е rec | Обратное восстановление энергия | т j =25 ℃ |
| 16.4 |
| mJ | |
т j =125 ℃ |
| 22.7 |
| ||||
Тепловой характеристик ика
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | Единицы |
р θ Д.К. | Соединение с делом (на IGB) T) |
| 0.055 | K/W |
р θ Д.К. | Соединение с корпусом (на D) йода) |
| 0.092 | K/W |
р θ КС | Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь) | 0.035 |
| K/W |
Вес | Вес Модуль | 300 |
| g |
Наша профессиональная команда по продажам ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
