GD300SGU120C2S, Модуль IGBT, STARPOWER

Символ

Описание

GD300SGU120C2S

Единицы

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

В

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

±20

В

Ic

Ток коллектора @ TC=25℃

@ TC=80°C

440

300

A

МКК

Импульсный ток коллектора tp=1ms

600

A

IF

Диод Непрерывный Прямой Ток @ TC=80℃

300

A

ИФМ

Максимальный прямой ток диода tp=1ms

600

A

ПД

Максимальная мощность рассеяния @ Tj=150℃

2272

В

Tjmax

Максимальная температура стыка

150

℃

ТСТГ

Диапазон температур хранения

-40 до +125

℃

Визо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

4000

В

Крутящий момент крепления

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

от 1.1 до 2.0

Крепежный винт силового терминала:M6

2,5 до 5,0

Н.М

Монографный винт:M6

3,0 - 5,0

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

V ((BR) CES

Сборщик-выпускник

Предельное напряжение

Tj=25°C

1200

В

ICES

Ток коллектора отключения

Ток

ВЭС=ВКЭС,ВГЭ=0В,Тж=25°С

5.0

mA

IGES

Ток утечки излучателя врат

ВЭГ=ВГЭС,ВЭС=0В,Тж=25°С

400

нД

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

VGE (th)

Пороговое напряжение выпускателя

IC=3,0mA, VCE=VGE, Tj=25°C

4.4

5.2

6.0

В

VCE(sat)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

IC=300A, VGE=15V, Tj=25°C

3.10

3.55

В

IC=300A, VGE=15V, Tj=125°C

3.45

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =3,3Ω,

В GE =±15В, Т j =25 ℃

662

nS

т r

Время нарастания

142

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

633

nS

т f

Время спада

117

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

19.7

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

22.4

mJ

т г (нА )

Время задержки включения

В CC = 600 В,I C = 300A, R G =3,3Ω,

В GE =±15В, Т j =125 ℃

660

nS

т r

Время нарастания

143

nS

т г (вЫКЛЮЧЕННЫЙ )

Выключение Время задержки

665

nS

т f

Время спада

137

nS

Е нА

Включить Переключение Потеря

24.9

mJ

Е вЫКЛЮЧЕННЫЙ

Выключатель Потеря

28.4

mJ

C ies

Входной пропускной способностью

В СЕ =30В, f=1МГц,

В GE =0В

25.3

нФ

C - Да.

Выходной объем

2.25

нФ

C res

Обратная передача

Пропускная способность

0.91

нФ

Я SC

Данные SC

т Р ≤ 10 мкс,В GE =15 В,

Т j =125 °C, В CC = 900 В, В СМК ≤ 1200 В

2550

A

Л СЕ

Индуктивность отклоняющейся

20

nH

R CC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.18

мОм

Символ

Параметр

Условия испытаний

Мин.

Тип.

Макс.

Единицы

В F

Диод вперед

Напряжение

Я F =300А

Т j =25 ℃

1.82

2.25

В

Т j =125 ℃

1.95

Q r

Восстановлено

Заряд

Я F = 300A,

В R =600 В,

R G =3,3Ω,

В GE = 15 В

Т j =25 ℃

29.5

μC

Т j =125 ℃

42.3

Я RM

Пик обратный

Ток восстановления

Т j =25 ℃

210

A

Т j =125 ℃

272

Е rec

Обратное восстановление Энергия

Т j =25 ℃

16.4

mJ

Т j =125 ℃

22.7

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

Единицы

R θ Д.К.

Соединение с делом (на IGB) T)

0.055

K/W

R θ Д.К.

Соединение с корпусом (на D) Йода)

0.092

K/W

R θ КС

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников) ложь)

0.035

K/W

Вес

Вес Модуль

300

g