IGBT-module, 3300V 1000A
sleutel- Ik ben...Parameters
vCES | 3300- Ik ben...v |
v- De(sat) | (Typ)- Ik ben...- Ik ben...2.40- Ik ben...v |
- Ikc | (max)- Ik ben...1000- Ik ben...a. |
- IkC(RM) | (max)- Ik ben...- Ik ben...2000- Ik ben...a. |
- Ik ben...
typische toepassingen
typische toepassingen
Absolute maximale beoordeling
(Symbool) | (Parameter) | (Testomstandigheden) | (waarde) | (Eenheid) |
VCES | Spanning van de collectieverzender | VGE = 0V, TC= 25 °C | 3300 | v |
VGES | Spanning van de poort-emitter | TC= 25 °C | ± 20 | v |
I C | Stroom van de collectieverzender naar de zender | TC = 95 °C | 1000 | a. |
IC(PK) | Piekstroom van de collector | t P= 1ms | 2000 | a. |
P max | Max. vermogensafvoer van de transistor | Tvj = 150°C, TC = 25 °C | 10.4 | kw |
I 2t | Diode I2t | VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C | 320 | kA2s |
Visol | Isolatiespanning – per module | Gedeelde terminals naar basisplaat), AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25 °C | 6000 | v |
Q PD | Deelontlading – per module | IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C | 10 | pc |
- Ik ben...
- Ik ben...
Elektrische Kenmerken
(Symbool) | (Parameter) | (Testomstandigheden) | (min) | (Typ) | (max) | (Eenheid) | |
- Ik ben... I CES | - Ik ben... - Ik ben... De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten: | VGE = 0V,VCE = VCES | - Ik ben... | - Ik ben... | 1 | - Ik ben... | |
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C | - Ik ben... | - Ik ben... | 60 | - Ik ben... | |||
VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C | - Ik ben... | - Ik ben... | 100 | - Ik ben... | |||
I GES | - Ik ben... Doorlaatstroom | VGE = ±20V, VCE = 0V | - Ik ben... | - Ik ben... | 1 | μA | |
VGE (TH) | De grensspanning van de poort | I C= 80mA, VGE= VCE | 5.50 | 6.10 | 7.00 | v | |
- Ik ben... VCE | - Ik ben... (*1) (sat) | Verzadiging van de collectie-emitter Spanning | VGE= 15V, I C= 1000A | - Ik ben... | 2.40 | 2.90 | v |
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C | - Ik ben... | 2.95 | 3.40 | v | |||
VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C | - Ik ben... | 3.10 | 3.60 | v | |||
I F | Diode-voorkrants | dc | - Ik ben... | 1000 | - Ik ben... | a. | |
I FRM | - Ik ben... Diode Maximale Voorwaartse Stroom | t P = 1ms | - Ik ben... | 2000 | - Ik ben... | a. | |
- Ik ben... VF(*1) | - Ik ben... - Ik ben... Diode-spanning naar voren | I F= 1000A | - Ik ben... | 2.10 | 2.60 | v | |
I F= 1000A, Tvj= 125 ° C | - Ik ben... | 2.25 | 2.70 | v | |||
I F= 1000A, Tvj= 150 ° C | - Ik ben... | 2.25 | 2.70 | v | |||
C ies | - Ik ben... Ingangs capaciteit | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz | - Ik ben... | 170 | - Ik ben... | nF | |
Q g | Gate-lading | ±15V | - Ik ben... | 17 | - Ik ben... | μC | |
C res | Omgekeerde overdracht capaciteit | VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz | - Ik ben... | 4 | - Ik ben... | nF | |
L M | - Ik ben... Module-inductie | - Ik ben... | - Ik ben... | 15 | - Ik ben... | - Nee. | |
R INT | Interne transistor weerstand | - Ik ben... | - Ik ben... | 165 | - Ik ben... | μΩ | |
- Ik ben... I SC | Kortsluitstroom, ISC | Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9 | - Ik ben... | - Ik ben... 3900 | - Ik ben... | - Ik ben... a. | |
- Ik ben...
Td (uit) | Vertragingstijd voor uitschakeling | - Ik ben... I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Ik ben... | 1800 | - Ik ben... | n |
t f | Valtijd | - Ik ben... | 530 | - Ik ben... | n | |
E OFF | Energieverlies bij uitschakeling | - Ik ben... | 1600 | - Ik ben... | MJ | |
Td (aan) | Tijd voor de inlichtingsachterstand | - Ik ben... | 680 | - Ik ben... | n | |
t r | Opstijgtijd | - Ik ben... | 320 | - Ik ben... | n | |
EON | Inschakel energieverlies | - Ik ben... | 1240 | - Ik ben... | MJ | |
Q rr | Diode omgekeerde herstel lading | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us | - Ik ben... | 780 | - Ik ben... | μC |
I rr | Diode omgekeerde herstelstroom | - Ik ben... | 810 | - Ik ben... | a. | |
E rec | Diode omgekeerde herstel energie | - Ik ben... | 980 | - Ik ben... | MJ | |
Td (uit) | Vertragingstijd voor uitschakeling | - Ik ben... I C =1000A VCE =1800V C GE = 220nF L ~ 150nH VGE = ±15V RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω | - Ik ben... | 1940 | - Ik ben... | n |
t f | Ouderdom | - Ik ben... | 580 | - Ik ben... | n | |
E OFF | Energieverlies bij uitschakeling | - Ik ben... | 1950 | - Ik ben... | MJ | |
Td (aan) | Tijd voor de inlichtingsachterstand | - Ik ben... | 660 | - Ik ben... | n | |
t r | Opstijgtijd | - Ik ben... | 340 | - Ik ben... | n | |
EON | Inschakel energieverlies | - Ik ben... | 1600 | - Ik ben... | MJ | |
Q rr | Diode omgekeerde herstel lading | I F =1000A VCE =1800V diF/dt =3300A/us | - Ik ben... | 1200 | - Ik ben... | μC |
I rr | Diode omgekeerde herstelstroom | - Ik ben... | 930 | - Ik ben... | a. |
Ons professionele verkoopteam wacht op uw consult.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.
EN
