IGBT-module 1700V

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(waarde)

(Eenheid)

VCES

Spanning van de collectieverzender

V GE = 0V, TC= 25。c

1700

v

V GES

Spanning van de poort-emitter

TC= 25。c

± 20

v

I C

Stroom van de collectieverzender naar de zender

TC  = 80。c

800

a.

I C(PK)

Piekstroom van de collector

t P=1ms

1600

a.

P max

Max. vermogensafvoer van de transistor

Tvj  = 150。C, TC = 25。c

6.94

kw

I 2t

Diode I 2t

VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c

120

kA2s

- Ik ben...

Visol

Isolatiespanning – per module

( Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat),

AC RMS,1 min, 50Hz,TC= 25。c

4000

v

Q PD

Deelontlading – per module

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c

10

pc

(Symbool)

- Ik ben...(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min)

(type)

(max.)

(eenheid)

- Ik ben...

I CES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

V GE = 0V,VCE  = VCES

- Ik ben...

- Ik ben...

1

- Ik ben...

V GE = 0V, VCE  = VCES , TC=125 ° C

- Ik ben...

- Ik ben...

25

- Ik ben...

I GES

Doorlaatstroom

V GE = ±20V, VCE  = 0V

- Ik ben...

- Ik ben...

4

μA

V GE (TH)

De grensspanning van de poort

I C = 40mA, V GE = VCE

5.00

5.70

6.50

v

- Ik ben...

VCE (sat) ((*1)

Collector-Emitter Verzadigingsspanning

V GE =15V, I C  = 800A

- Ik ben...

2.30

2.60

v

V GE =15V, I C  = 800A,Tvj = 125 ° C

- Ik ben...

2.80

3.10

v

I F

Diode-voorkrants

Gelijkstroomdc

- Ik ben...

- Ik ben...

800

a.

I FRM

Diode Maximale Voorwaartse Stroom

t P = 1ms

- Ik ben...

- Ik ben...

1600

a.

- Ik ben...

VF(*1)

Diode-spanning naar voren

I F = 800A

- Ik ben...

1.70

2.00

v

I F = 800A, Tvj  = 125 ° C

- Ik ben...

1.80

2.10

v

C ies

Ingangs capaciteit

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Ik ben...

60

- Ik ben...

nF

Q g

Gate-lading

±15V

- Ik ben...

9

- Ik ben...

μC

C res

Omgekeerde overdracht capaciteit

VCE = 25V, V GE  = 0V, f = 1MHz

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben er.

- Ik ben...

nF

L M

Module-inductie

- Ik ben...

- Ik ben...

20

- Ik ben...

- Nee.

R INT

Interne transistor weerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

270

- Ik ben...

μΩ

- Ik ben...

- Ik ben...

I SC

Kortsluitstroom, ISC

Tvj = 125° C, VCC  = 1000V,

V GE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt,

IEC 6074-9

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

3700

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- Ik ben...

890

- Ik ben...

n

t f

Ouderdom

- Ik ben...

220

- Ik ben...

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

- Ik ben...

220

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

320

- Ik ben...

n

t r

Opstijgtijd

- Ik ben...

190

- Ik ben...

n

EON

Inschakel energieverlies

- Ik ben...

160

- Ik ben...

MJ

Q rr

Diode omgekeerde herstel lading

- Ik ben...

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- Ik ben...

260

- Ik ben...

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

- Ik ben...

510

- Ik ben...

a.

E rec

Diode omgekeerde herstel energie

- Ik ben...

180

- Ik ben...

MJ

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

I C =800A

VCE =900V

L ~ 100nH

V GE = ±15V

RG(ON) = 2.2Ω

RG(OFF)= 2.2Ω

- Ik ben...

980

- Ik ben...

n

t f

Ouderdom

- Ik ben...

280

- Ik ben...

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

- Ik ben...

290

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

400

- Ik ben...

n

t r

Opstijgtijd

- Ik ben...

250

- Ik ben...

n

EON

Inschakel energieverlies

- Ik ben...

230

- Ik ben...

MJ

Q rr

Diode omgekeerde herstel lading

- Ik ben...

I F = 800A

VCE = 900V

diF/dt =4000A/us

- Ik ben...

420

- Ik ben...

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

- Ik ben...

580

- Ik ben...

a.

E rec

Diode omgekeerde herstel energie

- Ik ben...

280

- Ik ben...

MJ