IGBT-module 3300V

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(waarde)

(Eenheid)

VCES

Spanning van de collectieverzender

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

  Gate-emitter spanning

- Ik ben...

± 20

v

I C

Stroom van de collectieverzender naar de zender

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

a.

I C(PK)

Piekstroom van de collector

1ms,  T case = 140 °C

1000

a.

P max

Max. vermogensafvoer van de transistor

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

kw

I 2t

Diode I t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Isolatiespanning – per module

 Gedeelde terminals naar basisplaat),

AC RMS,1 min, 50Hz

6000

v

Q PD

Deelontlading – per module

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

tgeval- Ik ben...= 25 °c- Ik ben...t- Ik ben...geval- Ik ben...= 25°c- Ik ben...tenzij- Ik ben...vermeld- Ik ben...anders

(Symbool)

(Parameter)

(Testomstandigheden)

(Min)

(type)

(max.)

(eenheid)

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik- Ik ben...CES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

v- Ik ben...GE- Ik ben...= 0V,- Ik ben...v- De- Ik ben...=- Ik ben...vCES

- Ik ben...

- Ik ben...

1

- Ik ben...

v- Ik ben...GE- Ik ben...= 0V,- Ik ben...v- De- Ik ben...=- Ik ben...vCES- Ik ben...- Ja.- Ik ben...t- Ik ben...geval- Ik ben...=125 °C

- Ik ben...

- Ik ben...

30

- Ik ben...

v- Ik ben...GE- Ik ben...= 0V,- Ik ben...v- De- Ik ben...=vCES- Ik ben...- Ja.- Ik ben...t- Ik ben...geval- Ik ben...=150 °C

- Ik ben...

- Ik ben...

50

- Ik ben...

- Ik- Ik ben...GES

Gate-lekkage- Ik ben...stroom

v- Ik ben...GE- Ik ben...= ±20V,- Ik ben...v- De- Ik ben...= 0V

- Ik ben...

- Ik ben...

1

μA

v- Ik ben...GE- Ik ben...(TH)

De grensspanning van de poort

- Ik- Ik ben...c- Ik ben...= 40- Ik ben...- Ja.- Ik ben...v- Ik ben...GE- Ik ben...=v- De

5.50

6.10

7.00

v

- Ik ben...

- Ik ben...

v- De- Ik ben...(sat)(*1)

Verzadiging van de collectie-emitter- Ik ben...Spanning

v- Ik ben...GE- Ik ben...=15V,- Ik- Ik ben...C=- Ik ben...500a

- Ik ben...

2.40

2.90

v

v- Ik ben...GE- Ik ben...=15V,- Ik- Ik ben...c- Ik ben...= 500A,tVj- Ik ben...=- Ik ben...125- Ik ben...°c

- Ik ben...

2.95

3.40

v

v- Ik ben...GE- Ik ben...=15V,- Ik- Ik ben...c- Ik ben...= 500A,tVj- Ik ben...=- Ik ben...150- Ik ben...°c

- Ik ben...

3.10

3.60

v

- Ik- Ik ben...f

Diode-voorkrants

dc

- Ik ben...

500

- Ik ben...

a.

- Ik- Ik ben...FRM

Diode maximale voorwaartse- Ik ben...stroom

t- Ik ben...p- Ik ben...=- Ik ben...1ms

- Ik ben...

1000

- Ik ben...

a.

- Ik ben...

- Ik ben...

vf(*1)

- Ik ben...

Diode-spanning naar voren

- Ik- Ik ben...f- Ik ben...=- Ik ben...500a

- Ik ben...

2.10

2.60

v

- Ik- Ik ben...f- Ik ben...= 500A,- Ik ben...tVj- Ik ben...=- Ik ben...125 °c

- Ik ben...

2.25

2.70

v

- Ik- Ik ben...f- Ik ben...= 500A,- Ik ben...tVj- Ik ben...=- Ik ben...150 °c

- Ik ben...

2.25

2.70

v

c- Ja.

Ingangs capaciteit

v- De- Ik ben...= 25V,- Ik ben...v- Ik ben...GE- Ik ben...= 0V,f- Ik ben...=- Ik ben...1mhz

- Ik ben...

90

- Ik ben...

nF

Qg

Gate-lading

±15V

- Ik ben...

9

- Ik ben...

μC

cRes

Omgekeerde overdracht capacitantie

v- De- Ik ben...= 25V,- Ik ben...v- Ik ben...GE- Ik ben...= 0V,f- Ik ben...=- Ik ben...1mhz

- Ik ben...

2

- Ik ben...

nF

Ik...- Ik ben...m

module- Ik ben...inductantie

- Ik ben...

- Ik ben...

25

- Ik ben...

- Nee.

r- Ik ben...- In

Interne transistor weerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

310

- Ik ben...

μΩ

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik- Ik ben...sc

kortsluiting- Ik ben...stroom,- Ik ben...- Iksc

tVj- Ik ben...=- Ik ben...150°C,- Ik ben...v- Ik ben...cc- Ik ben...= 2500V,- Ik ben...v- Ik ben...GE- Ik ben...≤15 V,tp- Ik ben...≤10μs,

v- De(max.)- Ik ben...=- Ik ben...vCES- Ik ben...–Ik...- Ik ben...(*2)- Ik ben...×Di- Ik ben niet bang.dt- Ja.IEC- Ik ben...6074-9

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

1800

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

- Ik ben...

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH

V GE = ±15V    RG(ON) = 3.0Ω  RG(OFF)= 4.5Ω

- Ik ben...

1720

- Ik ben...

n

t f

Ouderdom

- Ik ben...

520

- Ik ben...

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

- Ik ben...

780

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

650

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

260

- Ik ben...

n

EON

Inschakel energieverlies

- Ik ben...

730

- Ik ben...

MJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

- Ik ben...

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Ik ben...

390

- Ik ben...

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

- Ik ben...

420

- Ik ben...

a.

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

- Ik ben...

480

- Ik ben...

MJ

(Symbool)

 (Parameter)

(Testomstandigheden)

 (Min)

(Typ)

 (Max)

(Eenheid)

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

- Ik ben...

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

- Ik ben...

1860

- Ik ben...

n

t f

Ouderdom

- Ik ben...

550

- Ik ben...

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

- Ik ben...

900

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

630

- Ik ben...

n

- Het is...

stijgingstijdOpstijgtijd

- Ik ben...

280

- Ik ben...

n

EON

Inschakel energieverlies

- Ik ben...

880

- Ik ben...

MJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

- Ik ben...

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Ik ben...

620

- Ik ben...

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

- Ik ben...

460

- Ik ben...

a.

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

- Ik ben...

760

- Ik ben...

MJ

(Symbool)

  (Parameter)

(Testomstandigheden)

 (Min)

 (Typ)

 (Max)

(Eenheid)

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

- Ik ben...

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

- Ik ben...

1920

- Ik ben...

n

t f

 Valtijd

- Ik ben...

560

- Ik ben...

n

E OFF

Energieverlies bij uitschakeling

- Ik ben...

1020

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

620

- Ik ben...

n

- Het is...

 Stijgtijd

- Ik ben...

280

- Ik ben...

n

EON

Inschakel energieverlies

- Ik ben...

930

- Ik ben...

MJ

Qrr

Diode omgekeerde herstel lading

- Ik ben...

I F =500A

VCE =1800V

diF/dt =2100A/us

- Ik ben...

720

- Ik ben...

μC

I rr

Diode omgekeerde herstelstroom

- Ik ben...

490

- Ik ben...

a.

Erec

Diode omgekeerde herstel energie

- Ik ben...

900

- Ik ben...

MJ