IGBT-module 6500V

VCES

6500 V

VCE(sat) Typ.

3.0 V

IC Max.

750 A

IC(RM) Max.

1500 A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

waarde

eenheid

v_CES

Spanning van de collectieverzender

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

v

v_GES

Spanning van de poort-emitter

TC= 25 °C

± 20

v

- Ik_c

Stroom van de collectieverzender naar de zender

TC = 80 °C

750

a.

- Ik_{C (((PK)}

Piekstroom van de collector

TP=1 ms

1500

a.

p_max.

Max. vermogensafvoer van de transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

11.7

kw

- Ik²t

Diode I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

v_Isolatie

Isolatiespanning - per module

(Gedeelde aansluitingen naar basisplaat), AC RMS, 1 min, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

kw

Q_PD

Deelontlading - per module

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Rth(J-C) IGBT

Thermische weerstand - IGBT

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

8.5

K / kW

- Ik ben...

Rth(J-C) Diode

Thermische weerstand - Diode

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

19.0

- Ik ben...

K / kW

- Ik ben...

Rth(C-H) IGBT

Thermische weerstand -

behuizing naar koellichaam (IGBT)

Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montagevet 1W/m·°C

- Ik ben...

- Ik ben...

9

- Ik ben...

K / kW

- Ik ben...

Rth(C-H) Diode

Thermische weerstand -

behuizing naar koellichaam (Diode)

Montagekoppelingsmoment 5Nm,

met montagevet 1W/m·°C

- Ik ben...

- Ik ben...

18

- Ik ben...

K / kW

Tvjop

Werktemperatuur van de knooppunt

(IGBT)

-40

125

°c

(Diode)

-40

125

°c

TSTG

Opslagtemperatuur

opslagtemperatuurbereik

- Ik ben...

-40

125

°c

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

m

- Ik ben...

- Ik ben...

Schroefkoppel

Montage – M6

- Ik ben...

5

nm

Elektrische verbindingen – M4

- Ik ben...

2

nm

Elektrische verbindingen – M8

- Ik ben...

10

nm

符号 Symbool

参数名称Parameter

条件

Testomstandigheden

最小值Min.

典型值- Een type.

Maksimale waardeMax.

单位eenheid

- Ik ben...

ICES

- Ik ben...

集电极截止电流

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

De in punt 5.2.2.3.1.1.1.1.1.1.1.3.2.2.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.3.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.4.

- Ik ben...

- Ik ben...

1

- Ik ben...

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd op een temperatuur van ongeveer 100 °C.

- Ik ben...

- Ik ben...

90

- Ik ben...

IGES

栅极漏电流

Doorlaatstroom

De in punt 5.2.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd.

- Ik ben...

- Ik ben...

1

μA

VGE (TH)

Gate- Ik ben er.Emittor drempelspanningDe grensspanning van de poort

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

- Ik ben...

VCE (sat) ((*1)

集电极- Ik ben er.Emittor verzadigingsspanning

Verzadiging van de collectie-emitter

Spanning

VGE = 15V, IC = 750A

- Ik ben...

3.0

3.4

v

VGE = 15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

- Ik ben...

3.9

4.3

v

als

Diode gelijkstroomDiode-voorkrants

dc

- Ik ben...

750

- Ik ben...

a.

IFRM

Diode positieve herhalingspiekstroomDiodepiekvoorwaartse stroom

tP = 1 ms

- Ik ben...

1500

- Ik ben...

a.

- Ik ben...

VF(*1)

- Ik ben...

Diode positieve spanning

Diode-spanning naar voren

IF = 750A, VGE = 0

- Ik ben...

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

- Ik ben...

2.90

3.30

v

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

Kortsluitstroom

kortsluitingstroom

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

- Ik ben...

- Ik ben...

2800

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Cies

Ingangscondensator

Ingangs capaciteit

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Ik ben...

123

- Ik ben...

nF

Qg

栅极电荷

Gate-lading

±15V

- Ik ben...

9.4

- Ik ben...

μC

Cres

Teruggaande overdracht capaciteit

Omgekeerde overdracht capaciteit

VCE = 25V, VGE = 0V, f = 100kHz

- Ik ben...

2.6

- Ik ben...

nF

Ik ben...

Module-inductantie

Module-inductie

- Ik ben...

- Ik ben...

10

- Ik ben...

- Nee.

RINT

Inwendige weerstand

Interne transistor weerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

90

- Ik ben...

mΩ

Td_(uit)

Uitschakelvertraging

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

3060

- Ik ben...

n

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

3090

- Ik ben...

t_f

DalingstijdOuderdom

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

2390

- Ik ben...

n

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

n

- Ik ben...

n

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

μC

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

2980

- Ik ben...

e_Afgeschakeld

Uitschakelverliezen

Energieverlies bij uitschakeling

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

3700

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

4100

- Ik ben...

Td_(op)

开通延迟时间

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

670

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

660

- Het is...

stijgingstijdOpstijgtijd

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

330

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

340

e_op

Inschakelverliezen

Inschakel energieverlies

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

4400

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

6100

- Ik ben...

Qrr

Diode terugkeerlaadcapaciteitDiode omgekeerd

terugvorderingsheffing

- Ik ben...

- Ik ben...

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

1300

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

1680

- Ik ben...

Verplaats

Diode terugkeerstroomDiode omgekeerd

terugwinningstroom

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

1310

- Ik ben...

a.

- Ik ben...

MJ

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

1460

- Ik ben...

Erec

Diode terugkeerverliezenDiode omgekeerd

energieherwinning

Tvj= 25 °C

- Ik ben...

2900

- Ik ben...

Tvj = 125 °C

- Ik ben...

4080

- Ik ben...