Kort inleiding
Thyristor/ Diodemodule , MTx 820 MFx 820 MT 800，820A ,Luchtkoeling ，geproduceerd door TECHSEM .
VRRM ,VDRM |
Type & Outline |
|
600V |
MTC820-06-416F3 |
MFC820-06-416F3 |
800V |
MTC820-08-416F3 |
MFC820-08-416F3 |
1000V |
MTC820-10-415F3 |
MFC820-10-416F3 |
1200V |
MTC820-12-416F3 |
MFC820-12-416F3 |
1400V |
MTC820-14-416F3 |
MFC820-14-416F3 |
1600V |
MTC820-16-416F3 |
MFC820-16-416F3 |
1800V |
MTC820-18-416F3 |
MFC820-18-416F3 |
1800V |
MT820-18-416F3G |
|
Kenmerken
Typische toepassingen
|
Symbool |
KENNISPAL |
Testomstandigheden |
Tj(℃) |
waarde |
eenheid |
||
Min. |
Type |
Maximaal |
|||||
IT(AV) |
Gemiddelde aan-stroom |
180° halve sinusoïde 50Hz Enkelzijdig gekoeld, Tc=85℃ |
135 |
|
|
820 |
A |
IT ((RMS) |
RMS aanhoudende stroom |
180。halve sinusgolf 50Hz |
|
|
1287 |
A |
|
Idrm Irrm |
Herhalende piekstroom |
bij VDRM bij VRRM |
135 |
|
|
120 |
mA |
ITSM |
Surge aan-stroom |
10 ms halve sinusgolf, VR=0V |
135 |
|
|
20.1 |
kA |
I 2t |
I2t voor smeltcoördinatie |
|
|
2020 |
A 2s* 10 3 |
||
VTO |
De spanning van de spanning moet worden bepaald door de volgende factoren: |
|
135 |
|
|
0.81 |
V |
rT |
Aan-stroom hellingsweerstand |
|
|
0.24 |
mΩ |
||
VTM |
Piek aan-stroomspanning |
ITM= 1500A |
25 |
|
|
1.38 |
V |
dv/dt |
Kritieke stijgsnelheid van de uitschakelspanning |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
1000 |
V/μs |
di/dt |
Kritieke stijgsnelheid van on-state stroom |
Gatebron 1.5A tr ≤0.5μs Herhalend |
135 |
|
|
200 |
A/μs |
Tgd |
Doorgangsgestuurde vertragingstijd |
IG= 1A dig/dt=1A/μs |
25 |
|
|
4 |
μs |
Tq |
Circuit gecommuteerde uitschakeltijd |
ITM=800A, tp=2000μs, VR =50V dv/dt=20V/μs,di/dt=-10A/μs |
135 |
|
250 |
|
µs |
IGT |
Poort triggerstroom |
VA= 12V, IA= 1A |
25 |
30 |
|
250 |
mA |
Vgt |
Poort trigger spanning |
0.8 |
|
3.0 |
V |
||
IH |
Vasthoudstroom |
10 |
|
300 |
mA |
||
IL |
Vergrendelstroom |
De in de bijlage vermelde gegevens zijn van toepassing op de volgende categorieën: |
25 |
|
|
1500 |
mA |
VGD |
Niet-trigger poortspanning |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
0.25 |
V |
IGD |
Niet-afdrijvingsgatenstroom |
VDM=67%VDRM |
135 |
|
|
5 |
mA |
Rth(j-c) |
Thermische weerstand Junction naar behuizing |
Enkelzijdig gekoeld per chip |
|
|
|
0.047 |
°C/W |
Rth(c-h) |
Thermische weerstand behuizing naar koellichaam |
Enkelzijdig gekoeld per chip |
|
|
|
0.015 |
°C/W |
VISO |
Isolatiespanning |
50Hz,R.M.S,t= 1min,Iiso:1mA(MAX) |
|
3000 |
|
|
V |
|
Fm |
Aansluitmoment terminal (M10) |
|
|
10.0 |
|
12.0 |
N·m |
Montage moment (M6) |
|
|
4.5 |
|
6.0 |
N·m |
|
Tvj |
verbindingstemperatuur |
|
|
-40 |
|
135 |
℃ |
TSTG |
Opgeslagen temperatuur |
|
|
-40 |
|
125 |
℃ |
Wt |
Gewicht |
|
|
|
1410 |
|
G |
Overzicht |
416F3 |
||||||
Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.
EN
