IGBT-module 6500V

Parameter

Symbool

Condities

Min.

Maximaal

eenheid

Collector-Emitter Spanning

V.CES

V.GE=0V,TVj ≥ 25°C

6500

V.

DC collectorstroom

IC

tC =80°C

250

A

Piekstroom van de collector

ICM

tp=1ms,Tc=80°C

500

A

Spanning van de poort-emitter

V.GES

-20

20

V.

Totaal vermogen dissipatie

Ptot

tC=25°C,perswitch(IGBT)

3200

W

DC-voortstroming

IF

250

A

Piek vooruit stroom

IFRM

TP=1 ms

500

A

IGBT kort Circuit SOA

tpsc

V.CC =4400V,VCEMCHIP ≤ 6500V V.GE≤ 15V,Tvj≤ 125°C

10

μs

Isolatiespanning

V.Isolatie

1min,f=50Hz

10200

V.

verbindingstemperatuur

tVj

125

℃

Junction bedrijfstemperatuur

tvj(op)

-50

125

℃

Behuizing temperatuur

tC

-50

125

℃

Opslagtemperatuur

tSTG

-50

125

℃

Montagetorques

MS

4

6

Nm

mT1

8

10

Parameter

Symbool

Condities

Min.

Type

Maximaal

eenheid

Verzamelaar (- emitter) doorbraakspanning

V(BR)CES

VGE=0V,IC=3mA, Tvj=25°C

6500

V.

Collector-Emitter Verzadiging Spanning

VCEsat

IC=250A,V GE=15V

Tvj= 25°C

2.6

3

3.4

V.

Tvj=125°C

3.4

4

4.6

V.

Verzamelaar afsnijdstroom

ICES

VCE=6500V,VGE=0V

Tvj= 25°C

4

mA

Tvj=125°C

50

mA

Gate lekstroom

IGES

VCE=0V,VGE=20V,Tvj=125°C

-500

500

NA

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

V. GE (de)

IC=80mA,VCE=VGE,Tvj=25°C

5.4

6.2

7

V.

Tijd voor de inlichtingsachterstand

tDe volgende categorieën

VCC=3600V, IC=250A,

RGon=6.8Ω ,

RGoff=33Ω ,

CGE=100nF

VGE=±15V,

Ls=280nH,

inductieve belasting

Tvj = 25 °C

1

μ s

Tvj = 125 °C

0.94

Stijging Tijd

- Het is...

Tvj = 25 °C

0.76

Tvj = 125 °C

0.81

Vertragingstijd voor uitschakeling

td(uit)

Tvj = 25 °C

3.9

μ s

Tvj = 125 °C

4.2

Ouderdom

tF

Tvj = 25 °C

2.2

Tvj = 125 °C

2.8

Aan- en uitwisselingsfunctie verliesenergie

EON

Tvj = 25 °C

3081

mJ

Tvj = 125 °C

3900

Afschakeling verliesenergie

EAfgeschakeld

Tvj = 25 °C

2100

mJ

Tvj = 125 °C

1236

Kort circuitstroom

ISC

tpsc ≤ 10μ s, V GE

=15V, Tvj=125℃,V CC =

4400V

Tvj = 125 °C

940

A