YMIBH250-33, IGBT-module, Halfbrug IGBT, CRRC

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Waarde

Eenheid

VCES

Spanning van de collectieverzender

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

V

VGES

Spanning van de poort-emitter

TC= 25 °C

± 20

V

Ik

Stroom van de collectieverzender naar de zender

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Piekstroom van de collector

tP=1 ms

500

A

Pmax

Max. vermogensafvoer van de transistor

Tvj = 150 °C, TC = 25 °C

2.6

kW

I2t

Diode I2t

VR = 0V, tP = 10 ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Isolatiespanning - per module

(Gemeenschappelijke terminals naar basisplaat), AC RMS,1 min, 50Hz, TC= 25 °C

6

kV

QPD

Deelontlading - per module

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pC

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

ICES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Doorlaatstroom

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

De grensspanning van de poort

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

Verzadiging van de collectie-emitter spanning

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diode-voorkrants

DC

250

A

IFRM

Diode piek voorwaartse stroom

tP = 1 ms

500

A

VF(*1)

Diode-spanning naar voren

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Kortsluitstroom

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

De verzamelaar moet de volgende gegevens bevatten:

VGE = 0V,VCE = VCES

1

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=125 °C

15

mA

VGE = 0V, VCE = VCES, TC=150 °C

25

mA

IGES

Doorlaatstroom

VGE = ±20V, VCE = 0V

1

μA

VGE (TH)

De grensspanning van de poort

IC = 20mA, VGE = VCE

5.5

6.1

7.0

V

VCE (sat) ((*1)

Verzadiging van de collectie-emitter

spanning

VGE = 15V, IC = 250A

2.50

2.80

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

V

VGE = 15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

V

IF

Diode-voorkrants

DC

250

A

IFRM

Diode piek voorwaartse stroom

tP = 1 ms

500

A

VF(*1)

Diode-spanning naar voren

IF = 250A, VGE = 0

2.10

2.40

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.25

2.55

V

IF = 250A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.25

2.55

V

Isc

Kortsluitstroom

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE ((max) = VCES L ((*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

t d(uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

I C = 250 A,

V CE = een vermogen van meer dan 50 W, V GE = ± 15 V, R G ((OFF) = 9.0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

1480

n

T vj = 125 °C

1550

T vj = 150 °C

1570

t f

Ouderdom

T vj = 25 °C

1280

n

T vj = 125 °C

1920

T vj = 150 °C

2120

E Afgeschakeld

Energieverlies bij uitschakeling

T vj = 25 °C

300

mJ

T vj = 125 °C

380

T vj = 150 °C

400

t de volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

I C = 250 A,

V CE = een vermogen van meer dan 50 W, V GE = ± 15 V, R G (((ON) = 6,0Ω , C GE = 56nF,

L S = 150nH,

T vj = 25 °C

640

n

T vj = 125 °C

650

T vj = 150 °C

650

t r

Opstijgtijd

T vj = 25 °C

220

n

T vj = 125 °C

235

T vj = 150 °C

238

E Aan

Inrichting van de centrale verlies

T vj = 25 °C

395

mJ

T vj = 125 °C

510

T vj = 150 °C

565

Q rR

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

I F = 250 A,

V CE = een vermogen van meer dan 50 W,

- Ik ben niet... i F /dt = 1200 A/us, (T vj = 125 °C).

T vj = 25 °C

190

μC

T vj = 125 °C

295

T vj = 150 °C

335

I rR

Diode omgekeerd

terugwinningstroom

T vj = 25 °C

185

A

T vj = 125 °C

210

T vj = 150 °C

216

E rec

Diode omgekeerd

energieherwinning

T vj = 25 °C

223

mJ

T vj = 125 °C

360

T vj = 150 °C

410