ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400SGY120C2S,IGBT-module,STARPOWER

IGBT-module, 1200V 450A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400SGY120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaar stroom @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

630

400

A

I CM

Pulsed Verzamelaar stroom t P =1 MS

800

A

P D

Maximum Vermogen dissipatie @ t j = 175 O C

2083

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode met continue voorstroom

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt ature

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 Om +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 Om +125

O C

V. iso

Isolatie Spanning RMS ,f=50 HZ ,t=1 Min.

4000

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat )

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400A, V. GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V.

I C = 400A, V. GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C = 400A, V. GE =15V, t j =150 O C

2.00

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 10.0mA ,V. CE = V. GE ,t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V.

I CES

Verzamelaar-afsluiting

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

1.9

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1 MHz ,

V. GE =0V

41.4

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.16

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15V…+15V

3.11

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =600V, I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

257

n

t r

Opstijgtijd

96

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

628

n

t F

Ouderdom

103

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

23.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

34.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =600V, I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

268

n

t r

Opstijgtijd

107

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

659

n

t F

Ouderdom

144

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

35.3

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

51.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =600V, I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 150O C

278

n

t r

Opstijgtijd

118

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

680

n

t F

Ouderdom

155

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

38.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

56.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V. GE =15V,

t j =150 O C ,V. CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1600

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400A, V. GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V.

I F = 400A, V. GE =0V, t j = 125O C

1.85

I F = 400A, V. GE =0V, t j = 150O C

1.85

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =600V, I F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

38.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

285

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

19

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =600V, I F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

66.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

380

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

36.6

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =600V, I F = 400A,

-di /dt =5000A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

76.0

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

399

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

41.8

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE

Module Loodweerstand, terminal aan Chip

0.18

r thJC

Junctie -Om -Geval (per IGBT )

Junctie -Om -Geval (per Diode )

0.072

0.095

K/W

r thCH

Geval -Om -Verwarmingssink (per IGBT )

Geval -Om -Verwarmingssink (per Diode )

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.018

0.023

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage Koppel , Schroef m 6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(6b521639e0).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000