ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400SGU120C2S,IGBT-module,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400SGU120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.

Kenmerken

  • NPT IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakellosses
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

VCES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

VGES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

Ic

Collectorstroom @ TC=25oC

@ TC=70oC

549

400

A

ICM

Pulsed Collectorstroom tp=1ms

800

A

PD

Maximale vermogensafvoer @ T = 150oC

2659

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

VRRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

IF

Diode met continue voorstroom

400

A

IFM

Diode Maximale Voorwaartse Stroom tp=1ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

Tjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

150

oC

- Ja.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +125

oC

TSTG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

oC

VISO

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t j =25 O C

2.90

3.35

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t j =125 O C

3.60

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 16,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

4.5

5.5

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.6

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

26.0

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.70

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

4.2

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

76

n

t r

Opstijgtijd

57

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

529

n

t F

Ouderdom

73

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

5.2

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

23.2

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

81

n

t r

Opstijgtijd

62

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

567

n

t F

Ouderdom

81

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

9.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

31.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =125 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

2800

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T j =25 O C

1.96

2.31

V.

I F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.98

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

24.9

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

317

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

16.0

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

35.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

391

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

21.4

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.18

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.047

0.100

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.015

0.031

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(6b521639e0).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000