ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400HFX120C2S,IGBT-module,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400HFX120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 90 O C

595

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

1875

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.75

2.20

V.

I C = 400 A,V GE = 15 V, t j =125 O C

2.00

I C = 400 A,V GE = 15 V, t j =150 O C

2.05

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 10,0 mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

37.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.04

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

2.80

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j =25 O C

205

n

t r

Opstijgtijd

77

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

597

n

t F

Ouderdom

98

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

18.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

32.3

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 125O C

214

n

t r

Opstijgtijd

86

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

626

n

t F

Ouderdom

137

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

28.4

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

48.9

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G = 2,0Ω,

V. GE =±15V, t j = 150O C

198

n

t r

Opstijgtijd

94

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

646

n

t F

Ouderdom

147

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

30.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

53.8

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

1440

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T j =25 O C

1.75

2.15

V.

I F = 400 A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F = 400 A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

40

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

299

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

20.0

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

70

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

399

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

38.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=5000A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

80

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

419

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

43.9

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

15

nH

r CC+EE

Module leidingweerstand nce, terminal naar chip

0.25

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.080

0.095

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.037

0.044

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000