Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400HFQ120C2SD, IGBT-module, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C

@ T C =100 o C

769

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T vj =1 75o C

2272

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, T vj =25 o C

1.85

2.30

V

I C = 400 A,V GE =15V, T vj =125 o C

2.25

I C = 400 A,V GE =15V, T vj =150 o C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 16,00 mA ,V CE = V GE ,T vj =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V,

T vj =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T vj =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

0.5

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

43.2

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.18

nF

Q G

Gate-lading

V GE - Ik ben niet... 15...+15V

3.36

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =25 o C

288

n

t r

Opstijgtijd

72

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

314

n

t f

Ouderdom

55

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

43.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

12.4

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =125 o C

291

n

t r

Opstijgtijd

76

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

351

n

t f

Ouderdom

88

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

57.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

17.1

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, R G =2Ω, L S =45 nH ,

V GE =±15V, T vj =150 o C

293

n

t r

Opstijgtijd

78

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

365

n

t f

Ouderdom

92

n

E aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

62.8

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

18.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

T vj =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1500

A

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T vj = 2 5o C

1.85

2.30

V

I F = 400 A,V GE =0V,T vj =125 o C

1.90

I F = 400 A,V GE =0V,T vj =150 o C

1.95

Q r

Hersteld

Opladen

V R = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, L S =45 nH ,T vj =25 o C

38.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

252

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

11.2

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V GE - Ik ben niet... 15 V, L S =45 nH ,T vj =125 o C

61.9

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

255

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.7

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V R = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V GE - Ik ben niet... 15 V, L S =45 nH ,T vj =150 o C

75.9

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

257

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

20.5

mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

R CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

R thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.066

0.115

K/W

R thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.031

0.055

0.010

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

g

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
0/100
Naam
0/100
Bedrijfsnaam
0/200
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
0/100
Naam
0/100
Bedrijfsnaam
0/200
Bericht
0/1000