ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400HFQ120C2SD, IGBT-module, STARPOWER

1200V 400A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400HFQ120C2SD
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 400A.

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

769

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj =1 75O C

2272

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V.

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.30

V.

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 16,00 mA ,V. CE = V. GE ,t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=100kHz, V. GE =0V

43.2

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.18

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

3.36

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G =2Ω, L s =45 nH ,

V. GE =±15V, t Vj =25 O C

288

n

t r

Opstijgtijd

72

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

314

n

t F

Ouderdom

55

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

43.6

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

12.4

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G =2Ω, L s =45 nH ,

V. GE =±15V, t Vj =125 O C

291

n

t r

Opstijgtijd

76

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

351

n

t F

Ouderdom

88

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

57.6

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

17.1

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C = 400A, r G =2Ω, L s =45 nH ,

V. GE =±15V, t Vj =150 O C

293

n

t r

Opstijgtijd

78

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

365

n

t F

Ouderdom

92

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

62.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

18.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V. GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V

1500

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.85

2.30

V.

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=4130A/μs,V GE - Ik ben niet... 15 V, L s =45 nH ,t Vj =25 O C

38.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

252

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

11.2

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3860A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15 V, L s =45 nH ,t Vj =125 O C

61.9

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

255

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.7

mJ

Q r

Hersteld

Opladen

V. r = 600V,I F = 400A,

-di /dt = 3720A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15 V, L s =45 nH ,t Vj =150 O C

75.9

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

257

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

20.5

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.066

0.115

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT)

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode)

De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.031

0.055

0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000