ALLE CATEGORIEËN

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

Startpagina /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD300SGY120C2S, IGBT Module, STARPOWER

1200V 300A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300SGY120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 600A.

Kenmerk

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typisch Toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C =100 O C

480

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

1613

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

4000

V.

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

VCE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

1.70

2.15

V.

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

1.95

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

2.00

VGE (de)

Gate-Emitter Drempelspanning

IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

V.

ICES

Verzamelaar-afsluiting

stroom

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

1.0

mA

IGES

Gate-Emitter Lekkage Stroom

De in punt 2 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd op een temperatuur van ongeveer 30 °C.

400

NA

RGint

Interne poortweerstand

2.5

Ω

Cies

Ingangs capaciteit

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

31.1

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.87

nF

Qg

Gate-lading

VGE=- 15...+15V

2.33

μC

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC

182

n

- Het is...

Opstijgtijd

54

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

464

n

TF

Ouderdom

72

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

Verlies

10.6

mJ

EOFF

Afschakeling

Verlies

25.8

mJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC

193

n

- Het is...

Opstijgtijd

54

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

577

n

TF

Ouderdom

113

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

Verlies

16.8

mJ

EOFF

Afschakeling

Verlies

38.6

mJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

VCC=600V,IC=300A, RG= 1.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC

203

n

- Het is...

Opstijgtijd

54

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

618

n

TF

Ouderdom

124

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

Verlies

18.5

mJ

EOFF

Afschakeling

Verlies

43.3

mJ

Isc

SC-gegevens

De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn:

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

1200

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

VF

Diode naar voren

Spanning

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

1.65

2.10

V.

De testmethode wordt gebruikt voor de test van de testcombinatie.

1.65

De test wordt uitgevoerd op een temperatuur van ± 2 °C.

1.65

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj=25oC

29

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

318

A

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

18.1

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 125oC

55

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

371

A

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

28.0

mJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 150oC

64

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

390

A

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

32.8

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

20

nH

RCC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

RthJC

Verbinding met de behuizing (per IGBT)

Verbinding met de behuizing (per diode)

0.093

0.155

K/W

RthCH

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen moeten worden gebruikt.

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.016

0.027

0.010

K/W

m

De test wordt uitgevoerd op de volgende wijze:

2.5

3.0

5.0

5.0

N.m

G

Gewicht van de module

300

G

Overzicht

image(6b521639e0).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000