IGBT-module 4500V

Parameter

Symbool

Condities

waarde

eenheid

Spanning van de collectieverzender

V. CES

V. GE =0V, t Vj =25 ° C

4500

V.

DC Collector Cu rrent

I C

t C =100 ° C,T Vj =125 ° C

2000

A

Piekstroom van de collector

I CM

t P =1 ms

4000

A

Gate -Emittent Spanning

V. GES

± 20

V.

Totaal Vermogen dissipatie

P tot

t C =25 ° C,T Vj =125 ° C

20800

W

DC Voorwaartse Cu rrent

I F

2000

A

De hoogtepunt Voorwaartse Cur huur

I FRM

t P =1 ms

4000

A

Overspanningsstroom

I FSM

V. r =0V,T Vj =125 ° C,

t P =10ms,halve sinusgolf

14000

A

IGBT Kortsluit SOA

t psc

V. CC =3400V, V. CEM Chip ≤4500V V. GE ≤15V,T Vj ≤125 ° C

10

μs

Maximale Junc... Temperatuur

t Vj (Maximaal )

125

℃

Junctie Bedrijfstemperatuur

t Vj (op )

-40~125

℃

Behuizing temperatuur

t C

-40~125

℃

Opslagtemperatuur

t STG

-40~70

℃

Montagekracht

F m

60~75

kN

Parameter

Symbool

Condities

waarde

eenheid

Min.

- Een type.

Max.

Collector-Emitter Doorbraakspanning

V(BR)CES

VGE=0V, IC=10mA, Tvj=25℃

4500

V.

Collector-Emitter Verzadigingsspanning

VCE (sat)

IC=2000A, VGE=15V

Tvj=25℃

2.70

3.05

V.

Tvj=125℃

3.35

3.85

V.

Collector-Emitter Afsluitstroom

ICES

VCE=4500V, VGE=0V

Tvj=25℃

1

mA

Tvj=125℃

15

100

mA

Gate-Emitter Lekkage Stroom

IGES

VCE=0V, VGE=±20V, Tvj=125℃

-500

500

NA

Gate-Emitter Drempelspanning

VGE (de)

IC=320mA, VCE=VGE, Tvj=25℃

6.7

7.7

V.

Gate-lading

Qg

IC=2000A, VCE=2800V, VGE=-15V~+15V

10

μC

Ingangs capaciteit

Cies

VCE=25V, VGE=0V, f=500kHz, Tvj=25℃

213

nF

Uitgangscondensator

Coes

15.3

nF

Omgekeerde overdracht capaciteit

Cres

4.7

nF

Interne poortweerstand

RGint

0

Ω

Tijd voor de inlichtingsachterstand

Td (aan)

IC=2000A,

VCE=2800V,

VGE=±15V,

RGon=1.8Ω,

RGoff=8.2Ω,

Cge=330nF,

LS=140nH,

Inductiebelasting

Tvj=25℃

1100

n

Tvj=125℃

900

n

Opstijgtijd

- Het is...

Tvj=25℃

400

n

Tvj=125℃

450

n

Vertragingstijd voor uitschakeling

Td (uit)

Tvj=25℃

3800

n

Tvj=125℃

4100

n

Ouderdom

TF

Tvj=25℃

1200

n

Tvj=125℃

1400

n

Inschakelovergangsenergie

EON

Tvj=25℃

14240

mJ

Tvj=125℃

15730

mJ

Uitschakelovergangsenergie

EOFF

Tvj=25℃

6960

mJ

Tvj=125℃

8180

mJ

Kortsluitstroom

Isc

VGE≤15V, tpsc≤10µs, VCC=3400V, Tvj=125℃

VCEM CHIP≤4500V

8400

A

Parameter

Symbool

Condities

waarde

eenheid

Min.

- Een type.

Max.

Voorwaartse Spanning

VF

IF=2000A

Tvj=25℃

2.60

V.

Tvj=125℃

2.85

V.

Terugloopstroom

Verplaats

IF=2000A, VR=2800V, VGE=15V, RGon=1.8Ω, LS=140nH,

Inductiebelasting

Tvj=25℃

1620

A

Tvj=125℃

1970

A

Teruglooplading

Qrr

Tvj=25℃

1750

uC

Tvj=125℃

2700

uC

Teruglooptijd

trr

Tvj=25℃

4.0

VS

Tvj=125℃

5.1

VS

Terugloopenergieverlies

Erec

Tvj=25℃

2350

mJ

Tvj=125℃

3860

mJ