IDG75X12T2, IGBT discrete, STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

150

75

A

I CM

Pulsed Verzamelaar stroom t P beperkt Door t vjmax

225

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

852

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

75

A

I Fm

Pulsed Verzamelaar stroom t P beperkt Door t vjmax

225

A

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +175

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-55 tot +150

O C

t s

Soldeertemperatuur, 1.6mm v an behuizing voor 10s

260

O C

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =75A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.10

I C =75A,V GE =15V, t Vj = 175 O C

2.20

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =3.00 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

250

μA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

100

NA

r Gint

Interne poortweerstand

2.0

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

6.58

nF

C oes

Uitgangscondensator

0.40

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.19

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

0.49

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, r G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj =25 O C

41

n

t r

Opstijgtijd

135

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

87

n

t F

Ouderdom

255

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

12.5

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

3.6

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, r G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj =150 O C

46

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

164

n

t F

Ouderdom

354

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.6

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

6.3

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =75A, r G = 4,7Ω,

V GE =±15V, Ls=40nH,

t Vj = 175 O C

46

n

t r

Opstijgtijd

140

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

167

n

t F

Ouderdom

372

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

18.7

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

6.7

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

300

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =75A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.75

2.20

V

I F =75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.75

I F =75A,V GE =0V,T Vj =17 5O C

1.75

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=370A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj =25 O C

267

n

Q r

Teruggevorderde heffing

4.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

22

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.1

mJ

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=340A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj =150 O C

432

n

Q r

Teruggevorderde heffing

9.80

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

33

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

2.7

mJ

trr

Diode omgekeerd Hersteltijd

V r = 600V,I F =75A,

-di/dt=320A/μs,V GE =-15 V, Ls=40nH,

t Vj = 175 O C

466

n

Q r

Teruggevorderde heffing

11.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

35

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.1

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.176 0.371

K/W

r thJA

Junction-to-Ambient

40

K/W