Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD900SGF120A3SN,IGBT Module,STARPOWER

1200V 1200A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD900SGF120A3SN
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 900A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geval met lage inductance
  • AlSiC-basisplaat voor hoogvermogenscyclusvermogen
  • AlN-substraat voor lage thermische weerstand

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

1466

900

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

1800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

5.34

kW

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

900

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

4000

V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =900A,V GE =15V, t Vj =25 O C

2.00

2.45

V

I C =900A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.50

I C =900A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.65

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

1.44

Ω

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r Gaat u goed? =1Ω, r Goff. =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =25 O C

520

n

t r

Opstijgtijd

127

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

493

n

t F

Ouderdom

72

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

76.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

85.0

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r Gaat u goed? =1Ω, r Goff. =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =125 O C

580

n

t r

Opstijgtijd

168

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

644

n

t F

Ouderdom

89

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

127

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

98.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =900A, r Gaat u goed? =1Ω, r Goff. =2Ω, Ls=50nH,

V GE =-10/+15V, t Vj =150 O C

629

n

t r

Opstijgtijd

176

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

676

n

t F

Ouderdom

96

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

134

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

99.0

mJ

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =900A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.95

2.40

V

I F =900A,V GE =0V,T Vj =125 O C

2.00

I F =900A,V GE =0V,T Vj =150 O C

2.05

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=7100A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =25 O C

80

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

486

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

35.0

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=5180A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =125 O C

153

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

510

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

64.0

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =900A,

-di/dt=4990A/μs, Ls=50nH, V GE =-10V,

t Vj =150 O C

158

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

513

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

74.0

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

12

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.19

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

28.1 44.1

K/kW

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

9.82 15.4 6.0

K/kW

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 het koppel van de terminalverbinding, Schroef M8 Montage-koppel Schroef M6

1.8 8.0 4.25

2.1

10

5.75

N.m

G

Gewicht van Module

1050

G

Overzicht

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000