GD800HFX120C6HA,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =100 O C

800

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

1600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

5172

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

800

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1600

A

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =800A,V GE =15V, t j =25 O C

1.95

2.40

V

I C =800A,V GE =15V, t j =125 O C

2.30

I C =800A,V GE =15V, t j =150 O C

2.40

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

0.7

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

62.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.74

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

4.66

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =25 O C

266

n

t r

Opstijgtijd

98

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

394

n

t F

Ouderdom

201

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

108

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

73.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =125 O C

280

n

t r

Opstijgtijd

115

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

435

n

t F

Ouderdom

275

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

153

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

91.3

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =800A, r G =1.0Ω, V GE =±15V, L s =40 nH ,t j =150 O C

282

n

t r

Opstijgtijd

117

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

446

n

t F

Ouderdom

290

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

165

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

94.4

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

2400

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =800A,V GE =0V,T j =25 O C

2.00

2.45

V

I F =800A,V GE =0V,T j =1 25O C

2.15

I F =800A,V GE =0V,T j =1 50O C

2.20

Q r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=5800A/μs,V GE = 15 V, L s =40 nH ,t j =25 O C

48.1

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

264

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.0

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =800A,

-di/dt=4800A/μs,V GE = 15 V, L s =40 nH ,t j =125 O C

95.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

291

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

35.3

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V CC = 600V,I F =800A,

-di⁄dt=4550A⁄μs,V GE = 15 V, L s =40 nH ,t j =150 O C

107

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

293

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

38.5

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.029 0.050

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.028 0.049 0.009

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

G