1200 V

Symbool

beschrijving

GD800HFL120C3S

eenheden

vCES

Spanning van de collectieverzender

1200

v

vGES

Spanning van de poort-emitter

±20

v

- Ikc

@ Tc=25°C

@ Tc=80°C

1250

a.

800

- IkCM(1)

Pulsed Collectorstroom    tp=- Ik ben...1ms

1600

a.

- Ikf

Diode met continue voorstroom

800

a.

- Ikfm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom

1600

a.

pd

Maximale vermogensafvoer @tj=150°C

4310

w

tsc

Kortsluitbestendigheidstijd    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot- Ik ben...+150

°C

tSTG

opslagtemperatuurbereik

-40 tot- Ik ben...+125

°C

- Ik2t-waarde, Diode

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

140

Ka2s

viso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

montage

koppel

Vermogensterminal- Ik ben...Schroef:M4

Vermogensterminal- Ik ben...Schroef:M8

1.7 tot- Ik ben...2.3

8,0 tot- Ik ben...10

n.m.

montage- Ik ben...Schroef:M6

4.25 tot- Ik ben...5.75

n.m.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

BV- Ik ben...CES

Collector-Emitter

breukspanning

tj=25°C

1200

- Ik ben...

- Ik ben...

v

- IkCES

Verzamelaar- Ik ben...gesneden- Ik ben er.Afgeschakeld- Ik ben...stroom

v- De=VCES,VGE=0V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

- Ik ben...

5.0

- Ik ben...

- IkGES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

vGE=VGES,V- De=0V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

- Ik ben...

400

- Nee.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

vGE (de)

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

- Ikc=32mA,V- De=VGE- Ja.- Ik ben...tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

- Ik ben...

- Ik ben...

vCE (sat)

- Ik ben...

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

- Ikc=800A,VGE=15V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

1.8

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

v

- Ikc=800A,VGE=15V,- Ik ben...tj=125°C

- Ik ben...

2.0

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

QGE

Gate-lading

- Ikc=800A,V- De=600V,

vGE=-15…+15V

- Ik ben...

11.5

- Ik ben...

μC

tDe volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

vcc= 600V,Ic=800A,

rGaat u goed?= 3,3Ω,

rGoff.=0.39Ω,

vGE- Ik ben...=±15V,Tj=25°C

- Ik ben...

600

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

230

- Ik ben...

n

td(Afgeschakeld)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

820

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

150

- Ik ben...

n

tDe volgende categorieën

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

vcc= 600V,Ic=800A,

rGaat u goed?= 3,3Ω,

rGoff.=0.39Ω,

vGE- Ik ben...=±15V,Tj=125°C

- Ik ben...

660

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

220

- Ik ben...

n

td(Afgeschakeld)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

960

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

180

- Ik ben...

n

eop

Aanzetten- Ik ben...Schakelverlies

- Ik ben...

160

- Ik ben...

MJ

eAfgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

- Ik ben...

125

- Ik ben...

MJ

c- Ja.

Ingangs capaciteit

- Ik ben...

v- De=25V, f=1MHz,

vGE=0V

- Ik ben...

61.8

- Ik ben...

nF

coes

Uitgangscondensator

- Ik ben...

4.2

- Ik ben...

nF

cRes

Omgekeerde overdracht

Vermogen

- Ik ben...

2.7

- Ik ben...

nF

- Ik ben...

- Iksc

- Ik ben...

SC-gegevens

tsc≤10μs,VGE=15V,- Ik ben...tj=125°C- Ja.

vcc= 900V,- Ik ben...vCEM- Ik ben...≤1200 V

- Ik ben...

- Ik ben...

3760

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Ik...- De

Inductie van de afwijking

- Ik ben...

- Ik ben...

20

- Ik ben...

- Nee.

rcc+EE'

Module-leidingweerstandc)- Ik ben...Terminal naar chip

tc=25°C

- Ik ben...

0.18

- Ik ben...

mOh

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

vf

Diode naar voren

Spanning

- Ikf=800A

tj=25°C

- Ik ben...

2.4

- Ik ben...

v

tj=125°C

- Ik ben...

2.2

- Ik ben...

Qr

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ikf=800A,

vr=600V,

di/dt=-3600A/μs,- Ik ben...vGE=-15V

tj=25°C

- Ik ben...

37

- Ik ben...

μC

tj=125°C

- Ik ben...

90

- Ik ben...

- Ik ben...

- IkRM

Diode piek

Omgekeerd herstel- Ik ben...stroom

tj=25°C

- Ik ben...

260

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

tj=125°C

- Ik ben...

400

- Ik ben...

erec

Omgekeerd herstel- Ik ben...energie

tj=25°C

- Ik ben...

9

- Ik ben...

MJ

tj=125°C

- Ik ben...

24

- Ik ben...

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

eenheden

rθJC

Junctie-naar-behuizing (IGBT-deel, per- Ik ben...1/2 Module)

- Ik ben...

0.029

K/W

rθJC

Junctie-naar-behuizing (diode-deel, per- Ik ben...1/2 Module)

- Ik ben...

0.052

K/W

rθCS

De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van

(Geconducteerde vet aangebracht, per Module)

0.006

- Ik ben...

K/W

gewicht

Gewicht van- Ik ben...module

1500

- Ik ben...

g