1200V 800A
Kort inleiding
IGBT-module , geproduceerd door STARPOWER. 1200V 800A.
Kenmerken
Typisch Toepassingen
Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt
IGBT
Symbool | Beschrijving | Waarden | eenheid |
V. CES | Spanning van de collectieverzender | 1200 | V. |
V. GES | Spanning van de poort-emitter | ±20 | V. |
I C | Verzamelaarsstroom @ T C =100 O C | 800 | A |
I CM | Pulsed Collectorstroom t P =1 ms | 1600 | A |
P D | Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C | 4687 | W |
Diode
Symbool | Beschrijving | Waarden | eenheid |
V. RRM | Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd | 1200 | V. |
I F | Diode Continuous Forward Cu rrent | 900 | A |
I Fm | Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms | 1800 | A |
I FSM | Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T Vj =12 5O C @ T Vj = 175 O C | 2392 2448 | A |
I 2t | I 2t- waarde ,t P =10 MS @ t Vj =125 O C @ T Vj = 175 O C | 28608 29964 | A 2s |
Module
Symbool | Beschrijving | waarde | eenheid |
t vjmax | Maximale temperatuur van de knooppunt | 175 | O C |
t vjop | Werktemperatuur van de knooppunt | -40 tot +150 | O C |
t STG | Opslagtemperatuurbereik | -40 tot +125 | O C |
V. iso | Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min | 2500 | V. |
IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt
Symbool | Parameter | Testomstandigheden | Min. | - Een type. | Max. | eenheid |
V. CE (sat) |
Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging | I C =800A,V GE =15V, t Vj =25 O C |
| 1.40 | 1.85 |
V. |
I C =800A,V GE =15V, t Vj =125 O C |
| 1.60 |
| |||
I C =800A,V GE =15V, t Vj = 175 O C |
| 1.60 |
| |||
V. GE (th ) | De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning | I C = 24,0 mA ,V. CE = V. GE , t Vj =25 O C | 5.5 | 6.3 | 7.0 | V. |
I CES | Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom | V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t Vj =25 O C |
|
| 1.0 | mA |
I GES | Doorlaat van de poort-emitter stroom | V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t Vj =25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Interne poortweerstand aas |
|
| 0.5 |
| Ω |
C ies | Ingangs capaciteit | V. CE =25V, f=100kHz, V. GE =0V |
| 28.4 |
| nF |
C res | Omgekeerde overdracht Vermogen |
| 0.15 |
| nF | |
Q G | Gate-lading | V. GE =-15…+15V |
| 2.05 |
| μC |
t D (Aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V. CC = 600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V, t Vj =25 O C |
| 168 |
| n |
t r | Opstijgtijd |
| 78 |
| n | |
t d(uit) | Afsluiting Vertragingstijd |
| 428 |
| n | |
t F | Ouderdom |
| 123 |
| n | |
E Aan | Aanzetten Schakelen Verlies |
| 43.4 |
| mJ | |
E Afgeschakeld | Afschakeling Verlies |
| 77.0 |
| mJ | |
t D (Aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V. CC = 600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V, t Vj =125 O C |
| 172 |
| n |
t r | Opstijgtijd |
| 84 |
| n | |
t d(uit) | Afsluiting Vertragingstijd |
| 502 |
| n | |
t F | Ouderdom |
| 206 |
| n | |
E Aan | Aanzetten Schakelen Verlies |
| 86.3 |
| mJ | |
E Afgeschakeld | Afschakeling Verlies |
| 99.1 |
| mJ | |
t D (Aan ) | Tijd voor de inlichtingsachterstand |
V. CC = 600V,I C =800A, r G =0.5Ω, L s =40nH, V. GE =-8V/+15V, t Vj = 175 O C |
| 174 |
| n |
t r | Opstijgtijd |
| 90 |
| n | |
t d(uit) | Afsluiting Vertragingstijd |
| 531 |
| n | |
t F | Ouderdom |
| 257 |
| n | |
E Aan | Aanzetten Schakelen Verlies |
| 99.8 |
| mJ | |
E Afgeschakeld | Afschakeling Verlies |
| 105 |
| mJ | |
I SC |
SC-gegevens | t P ≤8μs, V. GE =15V, t Vj =150 O C, V. CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V |
|
2600 |
|
A |
t P ≤ 6 μs, V. GE =15V, t Vj = 175 O C, V. CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V |
|
2500 |
|
A |
Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt
Symbool | Parameter | Testomstandigheden | Min. | - Een type. | Max. | Eenheid |
V. F | Diode naar voren Spanning | I F =900A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C |
| 1.60 | 2.00 |
V. |
I F =900A,V GE =0V,T Vj =125 O C |
| 1.60 |
| |||
I F =900A,V GE =0V,T Vj = 175 O C |
| 1.50 |
| |||
Q r | Teruggevorderde heffing |
V. r = 600V,I F =800A, -di/dt=7778A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C |
| 47.7 |
| μC |
I RM | Piek omgekeerd terugwinningstroom |
| 400 |
| A | |
E rec | Omgekeerd herstel Energie |
| 13.6 |
| mJ | |
Q r | Teruggevorderde heffing |
V. r = 600V,I F =800A, -di/dt=7017A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C |
| 82.7 |
| μC |
I RM | Piek omgekeerd terugwinningstroom |
| 401 |
| A | |
E rec | Omgekeerd herstel Energie |
| 26.5 |
| mJ | |
Q r | Teruggevorderde heffing |
V. r = 600V,I F =800A, -di/dt=6380A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj = 175 O C |
| 110 |
| μC |
I RM | Piek omgekeerd terugwinningstroom |
| 413 |
| A | |
E rec | Omgekeerd herstel Energie |
| 34.8 |
| mJ |
NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt
Symbool | Parameter | Testomstandigheden | Min. | - Een type. | Max. | eenheid |
r 25 | Nominale weerstand |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Afwijking van r 100 | t C =100 O C R 100= 493,3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Vermogen dissipatie |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B-waarde | r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
B 25/80 | B-waarde | r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
B 25/100 | B-waarde | r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt
Symbool | Parameter | Min. | - Een type. | Max. | eenheid |
L CE | Inductie van de afwijking |
| 20 |
| nH |
r CC+EE | Module loodweerstand, terminal tot chip |
| 0.80 |
| mΩ |
r thJC | Junctie -Om -Geval (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de) |
|
| 0.032 0.049 | K/W |
r thCH | De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module) |
| 0.030 0.046 0.009 |
| K/W |
m | het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5 | 3.0 3.0 |
| 6.0 6.0 | N.m |
G | Gewicht van Module |
| 350 |
| G |
Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.