GD800HFA120C2S_B20 ,IGBT Module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 800A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter Transiënte Gate-Emitter Spanning	±20 ±30	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 95 O C	1280 800	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	1600	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	3191	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continue Voorwaartse Stroom ent	800	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	1600	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +175	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =800A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.30	1.75	V
		I C =800A,V GE =15V, t Vj =125 O C		1.45
		I C =800A,V GE =15V, t Vj =150 O C		1.50
		I C =800A,V GE =15V, t Vj = 175 O C		1.55
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =32.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.5	6.1	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			0.38		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		156		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		1.10		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-8...+15V		10.3		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =25 O C		338		n
t r	Opstijgtijd			174		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1020		n
t F	Ouderdom			100		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			65.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			88.8		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =125 O C		398		n
t r	Opstijgtijd			203		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1140		n
t F	Ouderdom			183		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			96.6		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			109		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj =150 O C		413		n
t r	Opstijgtijd			213		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1140		n
t F	Ouderdom			195		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			105		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			113		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =800A, r G = 1,2Ω, V GE =-8V/+15V, t Vj = 175 O C		419		n
t r	Opstijgtijd			223		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1142		n
t F	Ouderdom			205		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			110		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			115		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies
I SC	SC-gegevens	t P ≤8μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3300		A
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V, t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		3000		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =800A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =800A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.85
		I F =800A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.85
		I F =800A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.85
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=5510A/μs,V GE =-8V, t Vj =25 O C		28.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			311		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			13.9		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4990A/μs,V GE =-8V, t Vj =125 O C		56.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			378		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			23.7		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4860A/μs,V GE =-8V, t Vj =150 O C		66.3		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			395		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			26.7		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =800A, -di/dt=4790A/μs,V GE =-8V, t Vj = 175 O C		72.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			403		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			28.6		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		20		nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.42		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.047 0.083	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.031 0.055 0.010		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		320		G