GD75PFX170C6SG,IGBT Module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 75A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	139 75	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	150	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	559	W

DIODE-omvormer

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	75	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	150	A

Diode-rectifier

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	2000	V
I O	Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde	75	A
I FSM	Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C	1440 1206	A
I 2t	I 2t-waarde,t P =10ms @ T Vj =25 O C @ T Vj =150 O C	10368 7272	A 2s

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale junctiontemperatuur (inverter) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)	175 150	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =75A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =75A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C =75A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			8.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		9.03		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.22		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.71		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =25 O C		236		n
t r	Opstijgtijd			42		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			356		n
t F	Ouderdom			363		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			17.3		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.7		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =125 O C		252		n
t r	Opstijgtijd			48		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			420		n
t F	Ouderdom			485		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			27.1		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.6		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, L s =46 nH ,t Vj =150 O C		275		n
t r	Opstijgtijd			50		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			432		n
t F	Ouderdom			524		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			27.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			17.7		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C ,V CC =1000V , V CEM ≤ 1700V		300		A

Diode -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =75A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.80	2.25	V
		I F =75A,V GE =0V,T Vj =12 5O C		1.90
		I F =75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =75A, -di/dt=1290A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,t Vj =25 O C		10.3		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			84		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			7.44		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =75A, -di/dt=1100A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V L s =46 nH ,t Vj =125 O C		20.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			87		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			16.1		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =75A, -di/dt=1060A/μs,V GE =-15V L s =46 nH ,t Vj =150 O C		22.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			97		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			19.2		mJ

Diode -gelijkrichter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I C =75A, t Vj =150 O C		0.95		V
I r	Terugstroom	t Vj =150 O C ,V r =2000V			3.0	mA

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT -Inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier)			0.268 0.481 0.289	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.106 0.190 0.114 0.009		K/W
m	Montage-koppel Schroef:M5	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G