GD75HFX170C1S,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

136

75

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

150

A

P D

Maximum Vermogen dissipatie @ t Vj = 175 O C

539

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

75

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

150

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =75A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.20

V

I C =75A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =75A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =3.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

8.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

9.03

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.22

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.71

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t Vj =25 O C

237

n

t r

Opstijgtijd

59

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

314

n

t F

Ouderdom

361

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

25.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

9.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t Vj =125 O C

254

n

t r

Opstijgtijd

70

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

383

n

t F

Ouderdom

524

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

33.3

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

15.1

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =75A, r G =6,8Ω,V GE =±15V, LS =60 nH ,t Vj =150 O C

257

n

t r

Opstijgtijd

75

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

396

n

t F

Ouderdom

588

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

36.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

16.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C ,V CC =1000V

V CEM ≤ 1700V

300

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =75A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

I F =75A,V GE =0V,T Vj =12 5O C

1.90

I F =75A,V GE =0V,T Vj =15 0O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=700A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t Vj =25 O C

16.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

58

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

7.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t Vj =125 O C

30.8

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

64

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

15.8

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =75A,

-di/dt=600A/μs,V GE =-15V LS =60 nH ,t Vj =150 O C

31.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

64

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

18.2

mJ

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

30

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.65

mΩ

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)

0.278 0.467

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.160 0.268 0.050

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

150

G