GD750HFA120C6S,IGBT-module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 800A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Hybride en elektrische voertuigen
andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =100 O C	750	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	1500	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	3125	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	900	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	1500	A
I FSM	Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T Vj = 25O C @ T Vj =150 O C	3104 2472	A
I 2t	I 2t- waarde ,t P =10 MS @ t Vj =25 O C @ T Vj =150 O C	48174 30554	A 2s

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =750A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.35	1.85	V
		I C =750A,V GE =15V, t Vj =125 O C		1.55
		I C =750A,V GE =15V, t Vj = 175 O C		1.55
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.5	6.3	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			0.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		85.2		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		0.45		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		6.15		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C		238		n
t r	Opstijgtijd			76		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			622		n
t F	Ouderdom			74		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			68.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			52.8		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C		266		n
t r	Opstijgtijd			89		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			685		n
t F	Ouderdom			139		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			88.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			67.4		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =750A, r G =0.5Ω, V GE =-8V/+15V, L s =40 nH ,t Vj = 175 O C		280		n
t r	Opstijgtijd			95		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			715		n
t F	Ouderdom			166		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			102		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			72.7		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤8μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2500		A
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V, t Vj = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =750A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.60	2.05	V
		I F =750A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.65
		I F =750A,V GE =0V,T Vj = 175 O C		1.65
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =750A, - di/dt=6500A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =25 O C		79.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			369		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			23.3		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =750A, -di/dt=5600A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj =125 O C		120		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			400		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			39.5		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =750A, -di/dt=5200A/μs,V GE =-8V, L s =40 nH ,t Vj = 175 O C		151		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			423		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			49.7		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		20		nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.80		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.048 0.088	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.028 0.051 0.009		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m
G	Gewicht van Module		350		G