GD600HTA120P6HT, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 600A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
6 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin onderplaat met Si3N4AMB technologie

Typische toepassingen

Automobieltoepassing
Hybride en elektrische voertuigen
andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	600	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F = 90 O C	450	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	1200	A
P D	Maximale vermogensafvoer atie @ t F = 75 O C t j = 175 O C	1075	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde voltage GE	1200	V
I FN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	600	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	450	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	1200	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werkpunttemperatuur continu Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik	-40 tot +150 +150 tot +175	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.	2500	V
D - Wat een rotzooi.	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	9.0 9.0	mm
D helder	Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal	4.5 4.5	mm

IGBT Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C = 450 A,V GE =15V, t j =25 O C		1.40		V
		I C = 450 A,V GE =15V, t j =150 O C		1.65
		I C = 450 A,V GE =15V, t j = 175 O C		1.70
		I C =600A,V GE =15V, t j =25 O C		1.60
		I C =600A,V GE =15V, t j =150 O C		1.90
		I C =600A,V GE =15V, t j = 175 O C		2.00
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C = 15,6 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C		6.4		V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			1.67		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		81.2		nF
C oes	Uitgangscondensator			1.56		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen			0.53		nF
Q G	Gate-lading	V CE = 600V,I C =600A, V GE =-8...+15V		5.34		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V, t j =25 O C		290		n
t r	Opstijgtijd			81		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			895		n
t F	Ouderdom			87		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			53.5		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			47.5		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V, t j =150 O C		322		n
t r	Opstijgtijd			103		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1017		n
t F	Ouderdom			171		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			84.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			63.7		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r Gaat u goed? =1,0Ω, r Goff. = 2,2Ω, L s =22nH, V GE =-8V/+15V, t j = 175 O C		334		n
t r	Opstijgtijd			104		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1048		n
t F	Ouderdom			187		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			89.8		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			65.4		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V,		2000		A
		t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

Diode Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 450 A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80		V
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.75
		I F = 450 A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.70
		I F =600A,V GE =0V,T j =25 O C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
		I F =600A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.90
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=7040A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j =25 O C		22.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			304		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.8		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=5790A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j =150 O C		46.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			336		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			18.2		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=5520A/μs,V GE =-8V L s = 22 nH ,t j = 175 O C		49.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			346		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			19.8		mJ

NTC Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		8		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.75		mΩ
P	Maximale druk in koelsysteem uit			2.5	bar
r de JF	Junctie -Om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min. ,t F = 75 O C		0.081 0.118	0.093 0.136	K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4	3.6 1.8		4.4 2.2	N.m
G	Gewicht van Module		750		G