IGBT-module 1700V

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaar stroom @ t C =25 O C

@ t C = 100O C

1069

600

A

I CM

Pulsed Verzamelaar stroom t P =1 MS

1200

A

P D

Maximum Vermogen dissipatie @ t j = 175 O C

4166

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1700

V.

I F

Diode met continue voorstroom

600

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

1200

A

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt ature

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 Om +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 Om +125

O C

V. iso

Isolatie Spanning RMS ,f=50 HZ ,t=1 Min.

4000

V.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat )

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 600A, V. GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V.

I C = 600A, V. GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C = 600A, V. GE =15V, t j =150 O C

2.35

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 12.0mA ,V. CE = V. GE ,t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V.

I CES

Verzamelaar-afsluiting

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V,

t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand

1.1

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1 MHz ,

V. GE =0V

72.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

1.75

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

5.66

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V, I C = 600A, r G = 1,0Ω, V. GE =±15V, t j =25 O C

160

n

t r

Opstijgtijd

67

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

527

n

t F

Ouderdom

138

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

154

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

132

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V, I C = 600A, r G = 1,0Ω, V. GE =±15V, t j = 125O C

168

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

585

n

t F

Ouderdom

168

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

236

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

189

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 900V, I C = 600A, r G = 1,0Ω, V. GE =±15V, t j = 150O C

192

n

t r

Opstijgtijd

80

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

624

n

t F

Ouderdom

198

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

259

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

195

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V. GE =15V,

t j =150 O C ,V. CC = 1000 V, V. CEM ≤ 1700V

2400

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 600A, V. GE =0V, t j =25 O C

1.80

2.25

V.

I F = 600A, V. GE =0V, t j = 125O C

1.90

I F = 600A, V. GE =0V, t j = 150O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

153

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

592

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

76.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j =125 O C

275

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

673

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

150

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r = 900V, I F = 600A,

-di /dt = 6700A/μs, V. GE - Ik ben niet... 15V t j =150 O C

299

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

690

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

173

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Afwijking van r 100

t C = 100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B- waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B- waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B- waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC + EE ’

Module Loodweerstand, terminal aan Chip

1.10

mΩ

r thJC

Junctie -Om -Geval (per IGBT )

Junctie -Om -Geval (per Diode )

0.036

0.073

K/W

r thCH

Geval -Om -Verwarmingssink (per IGBT )

Geval -Om -Verwarmingssink (per Diode )

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

0.027

0.055

0.009

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage Koppel , Schroef m 5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

G