GD600HFX120C2SAD_B20, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 600A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koperplaatje met HPS DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter Transiënte Gate-Emitter Spanning	±20 ±30	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1096 600	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	1200	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	3947	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continue Voorwaartse Stroom ent	600	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	1200	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =600A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =600A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.05
		I C =600A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.15
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C = 24,0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			1.25		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		64.7		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		1.88		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		5.38		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =25 O C		314		n
t r	Opstijgtijd			105		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			527		n
t F	Ouderdom			151		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			63.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			53.3		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =125 O C		350		n
t r	Opstijgtijd			117		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			591		n
t F	Ouderdom			315		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			96.5		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			72.2		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 600A, r G = 1,5Ω, L s =50 nH , V GE =±15V,T Vj =150 O C		359		n
t r	Opstijgtijd			120		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			604		n
t F	Ouderdom			328		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			105		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			75.6		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2400		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =600A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.65	2.10	V
		I F =600A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.65
		I F =600A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.60
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=5130A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =25 O C		38.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			313		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			10.8		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=4440A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =125 O C		76.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			368		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			22.5		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 600A, -di/dt=4240A/μs, L s =50nH, V GE =-15V,T Vj =150 O C		88.9		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			387		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			26.2		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		20		nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.42		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.038 0.068	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.031 0.056 0.010		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		320		G