IGBT-module 1700V

GD50PIX170C6SA,IGBT Module,STARPOWER

1700V 50A

Brand:

Stardragers

Spu:

GD50PIX170C6SA

Inleiding
Overzicht
Equivalent Circuit Schematic

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 50A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	100	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	384	W

DIODE-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	50	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	100	A

Diode-rectifier

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1600	V
I O	Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde	50	A
I FSM	Piek Voorwaartse Stroom V r =0V,T P =10ms,T j =45 O C	850	A
I 2t	I 2t-waarde,V r =0V,T P =10m s,T j =45 O C	3610	A 2s

IGBT-rem

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	100 50	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	100	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	384	W

Diode -Rem

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	50	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	100	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale Junctiontemperatuur (inverter, rem) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)	175 150	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =50A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =50A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand tance			9.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		6.02		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		163		n
t r	Opstijgtijd			44		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			290		n
t F	Ouderdom			347		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			12.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			7.28		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		186		n
t r	Opstijgtijd			51		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			361		n
t F	Ouderdom			535		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			17.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.1		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		192		n
t r	Opstijgtijd			52		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			374		n
t F	Ouderdom			566		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			20.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			12.0		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		200		A

Diode -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =50A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V GE =0V,T j =125 O C		1.95
		I F =50A,V GE =0V,T j =150 O C		1.90
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =25 O C		11.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			48		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			6.08		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =125 O C		20.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			52		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			11.4		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =150 O C		23.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			54		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			13.1		mJ

Diode -gelijkrichter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =50A, V GE =0V, t j =150 O C		1.14		V
I r	Terugstroom	t j =150 O C,V r =1600V			3.0	mA

IGBT -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =50A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =50A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =50A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =2.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			9.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		6.02		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.47		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		163		n
t r	Opstijgtijd			44		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			290		n
t F	Ouderdom			347		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			12.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			7.28		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		186		n
t r	Opstijgtijd			51		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			361		n
t F	Ouderdom			535		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			17.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.1		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =50A, r G =9.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		192		n
t r	Opstijgtijd			52		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			374		n
t F	Ouderdom			566		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			20.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			12.0		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		200		A

Diode -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =50A,V GE =0V,T j =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =50A,V GE =0V,T j =125 O C		1.95
		I F =50A,V GE =0V,T j =150 O C		1.90
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =25 O C		11.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			48		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			6.08		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =125 O C		20.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			52		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			11.4		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =50A, -di⁄dt=850A⁄μs,V GE =-15V t j =150 O C		23.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			54		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			13.1		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		60		nH
r CC+EE r AA + CC ’	Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip		4.00 2.00		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT -Inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier) Junctie -Om -casus (perIGBT -Rem ) Aansluiting-naar-gehuise (per Diode-br ake)			0.390 0.554 0.565 0.390 0.554	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Rem ) Gehuise-naar-koelsysteem (per Dio de-brake) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.145 0.205 0.210 0.145 0.205 0.009		K/W
m	Montage-koppel Schroef:M5	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G