GD400SGU120C2SD,IGBT Module,STARPOWER

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 400A. Ik ben een

Kenmerken

Typische toepassingen

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =65 O C	542 400	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	800	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj =150 O C	2840	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	400	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	800	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	150	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +125	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =25 O C		3.10	3.55	V
V CE (sat)		I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =125 O C		3.95		V
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =16 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	4.9	5.9	6.9	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			0.63		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		27.0		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		1.64		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15V…+15V		4.32		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 400A, r G =2.2Ω, V GE =±15V, LS =50 nH ,t Vj =25 O C		275		n
t r	Opstijgtijd			68		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			455		n
t F	Ouderdom			45		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			26.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.2		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C = 400A, r G =2.2Ω, V GE =±15V, LS =50 nH ,t Vj =125 O C		281		n
t r	Opstijgtijd			69		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			495		n
t F	Ouderdom			57		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			32.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			19.9		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =125 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		2700		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
V F	Diode naar voren Spanning	I F = 400 A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90		V
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=5666A/μs,V GE = 15 V, LS =50 nH ,t Vj =25 O C		42.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			329		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			16.2		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F = 400A, -di/dt=5534A/μs,V GE = 15 V, LS =50 nH ,t Vj =125 O C		71.9		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			382		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			30.0		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			20	nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.35		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.044 0.107	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.014 0.034 0.010		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G