GD400HTX120P6HT,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I CN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

400

A

I C

Verzamelaarsstroom @ T F =125 o C

250

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t p =1 ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer atie @ T F = 75 o C T j = 175 o C

1075

W

Symbool

Beschrijving

Waarden

Eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde voltage gE

1200

V

I FN

Geïmplementeerde collector Cu rrent

400

A

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

250

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms

800

A

Symbool

Beschrijving

Waarde

Eenheid

T jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

o C

T - Jaap.

Werkpunttemperatuur continu

Voor 10s binnen een periode van 30s, voorkomens maximaal 3000 keer gedurende levensduur ik

-40 tot +150 +150 tot +175

o C

T STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

o C

V Iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.

2500

V

d - Wat een rotzooi.

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

9.0 9.0

mm

d Helder

Terminal naar Heatsink Terminal naar terminal

4.5 4.5

mm

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =250A,V GE =15V, T j =25 o C

1.45

1.80

V

I C =250A,V GE =15V, T j =125 o C

1.65

I C =250A,V GE =15V, T j =150 o C

1.70

I C =380A,V GE =15V, T j =25 o C

1.70

I C =380A,V GE =15V, T j =150 o C

2.15

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =9.75 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter Stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C

400

nA

R Gint

Interne poortweerstand

2.4

ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V

33.6

nF

C oes

Uitgangscondensator

1.43

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.82

nF

Q G

Gate-lading

V CE = 600V,I C =250A, V GE =-8...+15V

1.98

μC

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =25 o C

231

n

t r

Opstijgtijd

50

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

545

n

t f

Ouderdom

172

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

19.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

23.2

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =125 o C

241

n

t r

Opstijgtijd

57

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

619

n

t f

Ouderdom

247

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

26.6

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

28.7

mJ

t d (aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 250 A, R G = 2,2Ω, L S =24 nH ,V GE =-8V/+15V,

T j =150 o C

245

n

t r

Opstijgtijd

57

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

641

n

t f

Ouderdom

269

n

E aan

Aanzetten Schakelen Verlies

30.1

mJ

E afgeschakeld

Afschakeling Verlies

30.9

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 6 μs, V GE =15V,

T j =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =250A,V GE =0V,T j =25 o C

1.50

1.90

V

I F =250A,V GE =0V,T j =1 25o C

1.45

I F =250A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.40

I F =380A,V GE =0V,T j =25 o C

1.65

I F =380A,V GE =0V,T j =1 50o C

1.60

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4860A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =25 o C

9.10

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

160

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

4.39

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 250 A,

-di/dt=4300A/μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =125 o C

21.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

192

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

8.43

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V R = 600V,I F = 250 A,

-di⁄dt=4120A⁄μs,V GE =-8V L S =24 nH ,T j =150 o C

25.7

μC

I RM

Piek omgekeerd

Terugwinningstroom

203

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

9.97

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

R 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van R 100

T C =100 o C r 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

Dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

R 2=R 25uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

8

nH

R CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.75

mΩ

△ p

△ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C

64

mbar

p

Maximale druk in koelcircuit - De koek

2.5

bar

R de JF

Junctie -om -Koeling Vloeistof (perIGBT )Junctie-naar-koelvloeistof (per D iodum) △ V/ △ t=10,0 dm 3/min. ,T F = 75 o C

0.081 0.118

0.093 0.136

K/W

M

Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M4

3.6 1.8

4.4 2.2

N.m

G

Gewicht van Module

750

g