GD400HTX120P4SA,IGBT Module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 400A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
Lage schakellosses
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerd koper pinfin onderplaat met DBC-technologie

Typische toepassingen

Hybride en elektrische voertuigen
andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I CN	Geïmplementeerde collector Cu rrent	400	A
I C	Verzamelaarsstroom @ T F =25 O C @ T F = 75 O C	400 300	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	800	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	1500	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I FN	Uitgevoerd Forward Cu rrent	400	A
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	300	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	800	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C		1.50	1.95	V
		I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C		1.60
		I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C		1.65
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =16.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.3	5.8	6.3	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			0.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		41.4		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		1.16		nF
Q G	Gate-lading	V GE =15V		3.11		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, LS =25 nH ,t j =25 O C		74		n
t r	Opstijgtijd			31		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			352		n
t F	Ouderdom			255		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			4.01		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			22.9		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =125 O C		81		n
t r	Opstijgtijd			34		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			411		n
t F	Ouderdom			397		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			7.40		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			32.2		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC =500V,I C =300A, r G =1.5Ω,V GE =±15V, Ls=25nH,T j =150 O C		82		n
t r	Opstijgtijd			36		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			425		n
t F	Ouderdom			434		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.90		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			35.2		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs,V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		1600		A

Diode Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.70	2.15	V
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.70
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.70
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =500V,I F =300A, -di/dt=10600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =25 O C		15.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			391		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.40		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =500V,I F =300A, -di/dt=9600A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =125 O C		24.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			457		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			18.4		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r =500V,I F =300A, -di/dt=9500A/μs,V GE =-15V Ls=25nH,T j =150 O C		29.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			488		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			23.2		mJ

NTC Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
△ P	Drukval Koeling Cir - De koek △ V/ △ t=10,0 dm 3/Min. ;t F =25 O C ;Koeling Vloeistof=50% Water/50% Ethyleenglycol		100		mbar
P	Maximale druk in koelcircuit - De koek			2.5	bar
L CE	Inductie van de afwijking		14		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.80		mΩ
r de JF	Junctie -Om -Koeling Vloeistof (perIGBT ) Junction-naar-koelvloeistof (per Di (de)			0.100 0.125	K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 6.0	N.m
G	Gewicht van Module		1250		G