Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD400CLX120C2S,IGBT Module,STARPOWER

IGBT Module, 1200V 400A, Verpakking:C2

Brand:
Stardragers
Spu:
GD400CLX120C2S
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 400A. Ik ben een

Kenmerken

  • NPT IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • Lage schakellosses
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

636

400

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

800

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

2083

W

Diode

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

400

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

800

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut

2500

V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.75

2.20

V

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.00

I C = 400 A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.05

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =14.4 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

0.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

37.3

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

1.04

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

2.80

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =25 O C

223

n

t r

Opstijgtijd

49

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

334

n

t F

Ouderdom

190

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

17.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

28.7

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =125 O C

230

n

t r

Opstijgtijd

54

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

385

n

t F

Ouderdom

300

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

29.4

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

41.2

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C = 400A, r G =2.0Ω, L s =50nH , V GE =±15V, T Vj =150 O C

228

n

t r

Opstijgtijd

57

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

393

n

t F

Ouderdom

315

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

32.3

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

42.9

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1600

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F = 400 A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=8030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C

33.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

374

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

13.6

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=7030A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C

67.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

446

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

28.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F = 400A,

-di/dt=6880A/μs, L s =50nH, V GE = 15 V, t Vj =150 O C

75.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

452

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

31.4

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.072 0.113

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.023 0.036 0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000