IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

GD3600SGT120C4S

Eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

± 20

V.

I C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

4800

A

3600

I CM (1)

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

7200

A

I F

Diode met continue voorstroom

3600

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom huur

7200

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j =17 5℃

16.7

kW

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

℃

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

℃

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V.

Montage

Signaalterminal Schroef:M4

1.8 tot 2.1

Vermogensterminalschroef:M8

8,0 tot 10

N.m

Koppel

Montage Schroef:M6

4.25 tot 5.75

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. (BR )CES

Collector-Emitter

Breekspanning

t j =25 ℃

1200

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

I C =145 mA ,V. CE = V. GE ,t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V.

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C =3600A,V GE =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V.

I C =3600A,V GE =15V, t j =125 ℃

2.00

2.45

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

35.0

μC

r Gint

Interne poortweerstand

t j =25 ℃

0.5

Ω

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =3600A, r Gaat u goed? =0.8Ω,

r Goff. =0,2Ω,

V. GE = ± 15V,T j =25 ℃

600

n

t r

Opstijgtijd

235

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

825

n

t F

Ouderdom

145

n

E Aan

Aanzetten Schakelverlies

/

mJ

E Afgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

/

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC = 600V,I C =3600A, r Gaat u goed? =0.8Ω,

r Goff. =0,2Ω,

V. GE = ± 15V,T j =125 ℃

665

n

t r

Opstijgtijd

215

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

970

n

t F

Ouderdom

180

n

E Aan

Aanzetten Schakelverlies

736

mJ

E Afgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

569

mJ

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz, V. GE =0V

258

nF

C oes

Uitgangscondensator

13.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

11.7

nF

I SC

SC-gegevens

t s C ≤ 10μs,V GE =15V, t j =125 ℃ ,V CC = 900V, V. CEM ≤ 1200V

14000

A

L CE

Inductie van de afwijking

10

nH

r CC + EE ’

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

0.12

m Ω

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =3600A

t j =25 ℃

1.65

2.15

V.

t j =125 ℃

1.65

2.15

Q r

Teruggevorderde heffing

I F =3600A,

V. r =600V,

r Gaat u goed? =0.8Ω,

V. GE - Ik ben niet... 15V

t j =25 ℃

360

μC

t j =125 ℃

670

I RM

Omgekeerd herstel stroom

t j =25 ℃

2500

A

t j =125 ℃

3200

E rec

Omgekeerd herstel Energie

t j =25 ℃

97

mJ

t j =125 ℃

180

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

Eenheid

r θ JC

De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T)

9.0

K/kW

r θ JC

Junction-to-Case (per Dio de)

15.6

K/kW

r θ CS

De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van

(Geconducteerde vet aangebracht, per M (geïntegreerd)

4

K/kW

Gewicht

Gewicht van Module

2250

G