alle categorieën

van de soort gebruikt voor het produceren van elektrische apparaten

van de soort gebruikt voor het produceren van elektrische apparaten

Homepagina / producten / Igbt-module / van de soort gebruikt voor het produceren van elektrische apparaten

GD3600SGL170C4S

IGBT-module, 1700V 3600A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD3600SGL170C4S
  • inleiding
inleiding

kenmerken

  • Lage VCE(sat)  SPT+ IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

typisch- Ik ben...aanvragen

  • Hoge vermogensomvormer
  • Motor Driver
  • windturbine

Absoluut- Ik ben...maximaal- Ik ben...ratings- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik heb het niet.

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

VCES

Spanning van de collectieverzender

1700

v

VGES

Spanning van de poort-emitter

± 20

v

- Ik

Verzamelaarstroom @ TC=25oC

Verzamelstroom- Ik ben...@ TC=65oC

4446

3600

a.

ICM

Pulserende collectie-stroom tp=1 ms

7200

a.

PD

Maximale vermogensafvoer @ Tj=175oC

15.3

kw

Diode

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

VRRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1700

v

als

Diode met continue voorstroom

3600

a.

- Ik ben...

Diode maximale voorstroming tp=1 ms

7200

a.

module

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

Tjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

oc

- Ja.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

oc

TSTG

opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

oc

VISO

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

v

- Ik heb het niet.- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

- Ik ben...

VCE (sat)

- Ik ben...

- Ik ben...

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=3600A,VGE=15V, Tj=25oC

- Ik ben...

2.00

2.45

- Ik ben...

- Ik ben...

v

IC=3600A,VGE=15V, Tj=125oC

- Ik ben...

2.40

- Ik ben...

IC=3600A,VGE=15V, Tj=150oC

- Ik ben...

2.50

- Ik ben...

VGE (de)

Gate-Emitter Drempelspanning

IC= 144.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC

5.4

6.2

7.4

v

ICES

Verzamelaar-afsluiting

stroom

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

- Ik ben...

- Ik ben...

5.0

- Ik ben...

IGES

Gate-Emitter Lekkage Stroom

De in punt 2 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd op een temperatuur van ongeveer 30 °C.

- Ik ben...

- Ik ben...

400

- Nee.

RGint

Interne poortweerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

0.53

- Ik ben...

Oh

Cies

Ingangs capaciteit

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

- Ik ben...

240

- Ik ben...

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

- Ik ben...

8.64

- Ik ben...

nF

Qg

Gate-lading

VGE=+15…+15V

- Ik ben...

21.6

- Ik ben...

μC

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=25oC

- Ik ben...

660

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

280

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

1600

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

175

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

650

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

1100

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=125oC

- Ik ben...

740

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

290

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

1800

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

315

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

800

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

1500

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=900V,IC=3600A, RG=0.5Ω,VGE=±15V,  Tj=150oC

- Ik ben...

780

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

295

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

1850

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

395

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

900

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

1600

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

SC-gegevens

De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn:

Tj=150oC,VCC=1000V, VCEM≤1700V

- Ik ben...

- Ik ben...

14

- Ik ben...

- Ik ben...

Ka

Diode- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

VF

Diode naar voren

Spanning

IF=3600A,VGE=0V,Tj=25oC

- Ik ben...

1.80

2.25

- Ik ben...

v

IF=3600A,VGE=0V,Tj=125oC

- Ik ben...

1.95

- Ik ben...

IF=3600A,VGE=0V,Tj= 150oC

- Ik ben...

1.90

- Ik ben...

Qr

Teruggevorderde heffing

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=25oC

- Ik ben...

730

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

2600

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

490

- Ik ben...

MJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=125oC

- Ik ben...

1350

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

3150

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

950

- Ik ben...

MJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VR=900V,IF=3600A,

-di/dt= 12000A/μs,VGE=- 15V Tj=150oC

- Ik ben...

1550

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

3300

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

1100

- Ik ben...

MJ

module- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

- Ik ben...

6.0

- Ik ben...

- Nee.

RCC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

- Ik ben...

0.12

- Ik ben...

RthJC

Verbinding met de behuizing (per IGBT)

Verbinding met de behuizing (per diode)

- Ik ben...

- Ik ben...

9.8

16.3

K/kW

- Ik ben...

RthCH

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen moeten worden gebruikt.

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

- Ik ben...

6.5

10.7

4.0

- Ik ben...

K/kW

- Ik ben...

m

Terminal Connection Torque, Screw M4 Terminal Connection Torque, Screw M8 Mounting Torque, Screw M6

1.8

8.0

4.25

- Ik ben...

2.1

10

5.75

- Ik ben...

n.m.

g

Gewicht van de module

- Ik ben...

2300

- Ik ben...

g

- Ik ben...

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000

gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consult.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

een offerte krijgen

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000