alle categorieën

1200 V

1200 V

Homepagina / producten / Igbt-module / 1200 V

GD300SGY120C2S

IGBT-module, 1200V 300A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300SGY120C2S
  • inleiding
inleiding

kenmerk

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

typisch- Ik ben...aanvragen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • een ononderbroken stroomvoorziening

Absoluut- Ik ben...maximaal- Ik ben...ratings- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik heb het niet.

- Ik ben...

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

vCES

Spanning van de collectieverzender

1200

v

vGES

Spanning van de poort-emitter

± 20

v

- Ikc

Collector Current @ Tc=25oc

@ Tc=100oc

480

300

a.

- Ikcm

Pulserende collectie-stroom tp=1 ms

600

a.

pd

Maximale vermogensafvoer @ Tj= 175oc

1613

w

Diode

- Ik ben...

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

vRRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

v

- Ikf

Diode continue voorwaartscurhuur

300

a.

- Ikfm

Diode maximale voorstroming tp=1 ms

600

a.

module

- Ik ben...

Symbool

beschrijving

waarde

eenheid

tjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

oc

t- Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

oc

tSTG

opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

oc

viso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1Min

4000

v

- Ik heb het niet.- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

- Ik ben...

VCE (sat)

- Ik ben...

- Ik ben...

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

IC=300A, VGE=15V, Tj=25oC

- Ik ben...

1.70

2.15

- Ik ben...

- Ik ben...

v

IC=300A, VGE=15V, Tj=125oC

- Ik ben...

1.95

- Ik ben...

IC=300A, VGE=15V, Tj=150oC

- Ik ben...

2.00

- Ik ben...

VGE (de)

Gate-Emitter Drempelspanning

IC=7,50mA, VCE=VGE, Tj=25oC

5.2

6.0

6.8

v

ICES

Verzamelaar-afsluiting

stroom

VCE=VCES, VGE=0V,

Tj=25oC

- Ik ben...

- Ik ben...

1.0

- Ik ben...

IGES

Gate-Emitter Lekkage Stroom

De in punt 2 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd op een temperatuur van ongeveer 30 °C.

- Ik ben...

- Ik ben...

400

- Nee.

RGint

Interne poortweerstand

- Ik ben...

- Ik ben...

2.5

- Ik ben...

Oh

Cies

Ingangs capaciteit

VCE=25V, f=1MHz,

VGE=0V

- Ik ben...

31.1

- Ik ben...

nF

Cres

Omgekeerde overdracht

Vermogen

- Ik ben...

0.87

- Ik ben...

nF

Qg

Gate-lading

VGE=- 15...+15V

- Ik ben...

2.33

- Ik ben...

μC

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=25oC

- Ik ben...

182

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

54

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

464

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

72

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

10.6

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

25.8

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=125oC

- Ik ben...

193

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

54

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

577

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

113

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

16.8

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

38.6

- Ik ben...

MJ

Td (aan)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

VCC=600V, IC=300A, RG=1.3Ω, VGE=±15V, Tj=150oC

- Ik ben...

203

- Ik ben...

n

- Het is...

Opstijgtijd

- Ik ben...

54

- Ik ben...

n

Td (uit)

Vertragingstijd voor uitschakeling

- Ik ben...

618

- Ik ben...

n

Tf

Ouderdom

- Ik ben...

124

- Ik ben...

n

EON

Aan- en uitwisselingsfunctie

verlies

- Ik ben...

18.5

- Ik ben...

MJ

EOFF

Afschakeling

verlies

- Ik ben...

43.3

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

SC-gegevens

De in punt 3.4.1 bedoelde parameters zijn:

Tj=150oC,VCC=900V,VCEM≤1200V

- Ik ben...

- Ik ben...

1200

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

- Ik ben...

- Ik ben...Diode- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

- Ik ben...

VF

Diode naar voren

Spanning

IF=300A,VGE=0V,Tj=25oC

- Ik ben...

1.65

2.10

- Ik ben...

v

De testmethode wordt gebruikt voor de test van de testcombinatie.

- Ik ben...

1.65

- Ik ben...

De test wordt uitgevoerd op een temperatuur van ± 2 °C.

- Ik ben...

1.65

- Ik ben...

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj=25oC

- Ik ben...

29

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

318

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

18.1

- Ik ben...

MJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 125oC

- Ik ben...

55

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

371

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

28.0

- Ik ben...

MJ

Qr

Teruggevorderde heffing

VCC=600V,IF=300A,

- di/dt=6050A/μs, VGE=- 15V, Tj= 150oC

- Ik ben...

64

- Ik ben...

μC

IRM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

- Ik ben...

390

- Ik ben...

a.

Erec

Energie van omgekeerde terugwinning

- Ik ben...

32.8

- Ik ben...

MJ

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

module- Ik ben...kenmerken- Ik ben...tc=25oc- Ik ben...tenzij- Ik ben...anders- Ik ben...Opgemerkt

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

LCE

Inductie van de afwijking

- Ik ben...

- Ik ben...

20

- Nee.

RCC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

- Ik ben...

0.35

- Ik ben...

RthJC

Verbinding met de behuizing (per IGBT)

Verbinding met de behuizing (per diode)

- Ik ben...

- Ik ben...

0.093

0.155

K/W

- Ik ben...

RthCH

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen moeten worden gebruikt.

De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen zijn:

- Ik ben...

0.016

0.027

0.010

- Ik ben...

K/W

m

De test wordt uitgevoerd op de volgende wijze:

2.5

3.0

- Ik ben...

5.0

5.0

n.m.

g

Gewicht van de module

- Ik ben...

300

- Ik ben...

g

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000

gerelateerd product

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consult.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

een offerte krijgen

een gratis offerte krijgen

Onze vertegenwoordiger zal u spoedig contacteren.
Email
naam
naam van het bedrijf
bericht
0/1000