GD300HFX170C6SA,IGBT Module,STARPOWER

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

1829

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C

1.85

2.20

V

I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t j =150 O C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =12.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

5.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.88

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A,

r Gaat u goed? = 3,3Ω, r Goff. = 4,7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, t j =25 O C

265

n

t r

Opstijgtijd

94

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

565

n

t F

Ouderdom

326

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

77.6

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

52.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A,

r Gaat u goed? = 3,3Ω, r Goff. = 4,7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, t j =125 O C

302

n

t r

Opstijgtijd

104

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

631

n

t F

Ouderdom

521

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

108

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

72.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A,

r Gaat u goed? = 3,3Ω, r Goff. = 4,7Ω, L s =66nH,V GE =±15V, t j =150 O C

313

n

t r

Opstijgtijd

108

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

645

n

t F

Ouderdom

545

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

119

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

78.4

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.90

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=2650A/μs,V GE =-15V L s =66 nH ,t j =25 O C

56.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

228

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

38.4

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=2300A/μs, V GE =-15V L s =66 nH ,t j =125 O C

89.6

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

262

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

60.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=2250A/μs,V GE =-15V L s =66 nH ,t j =150 O C

102

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

272

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

69.6

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module Loodweerstand, Terminal naar chip

1.10

mΩ

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.082 0.121

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.030 0.045 0.009

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.m

G

Gewicht van Module

350

G