Alle Categorieën

IGBT-module 1700V

IGBT-module 1700V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1700V

GD300HFX170C2SA,IGBT Module,STARPOWER

IGBT-module, 1700V 300A

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300HFX170C2SA
  • Inleiding
  • Overzicht
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1700V 300A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met DBC-technologie Y

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1700

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

493

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

1829

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1700

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Module

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

4000

V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =12.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

36.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.88

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

2.83

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =25 O C

355

n

t r

Opstijgtijd

71

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

473

n

t F

Ouderdom

337

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

89.3

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

46.3

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =125 O C

383

n

t r

Opstijgtijd

83

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

549

n

t F

Ouderdom

530

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

126

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

68.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 900V,I C =300A, r G =2.4Ω, Ls=42nH, V GE =±15V,

t Vj =150 O C

389

n

t r

Opstijgtijd

88

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

575

n

t F

Ouderdom

585

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

139

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

73.4

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC =1000V,

V CEM ≤ 1700V

1200

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =300A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.80

2.25

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.95

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.90

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=3247A/μs,V GE =-15V LS =42 nH ,t Vj =25 O C

68

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

202

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

34.5

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=2579A/μs,V GE =-15V LS =42 nH ,t Vj =125 O C

114

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

211

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

61.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 900V,I F =300A,

-di/dt=2395A/μs,V GE =-15V LS =42 nH ,t Vj =150 O C

136

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

217

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

73.9

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.082 0.127

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.033 0.051 0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000