GD300HFU120C2SD, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 300A. Ik ben een

Kenmerken

Laag VCE (sat) Trench IGBT-technologie
6 μs kortsluiting
VCE (sat) Met positief Temperatuur coëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	320 300	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	600	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	1063	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	300	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	600	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =300A,V GE =15V, t j =25 O C		1.40	1.85	V
		I C =300A,V GE =15V, t j =125 O C		1.60
		I C =300A,V GE =15V, t j = 175 O C		1.60
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.5	6.3	7.0	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		51.5		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		0.36		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		4.50		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, t j =25 O C		405		n
t r	Opstijgtijd			83		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			586		n
t F	Ouderdom			129		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			34.3		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			19.3		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, t j =125 O C		461		n
t r	Opstijgtijd			107		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			676		n
t F	Ouderdom			214		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			48.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			26.6		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =300A, r G =1.5Ω, Ls=32nH, V GE =±15V, t j = 175 O C		518		n
t r	Opstijgtijd			124		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			738		n
t F	Ouderdom			264		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			58.1		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			31.7		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤7μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1150		A
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 6 μs, V GE =15V, t j = 175 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		1110		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =300A,V GE =0V,T j =25 O C		1.60	2.00	V
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.60
		I F =300A,V GE =0V,T j =1 75O C		1.50
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =300A, -di/dt=3135A/μs, V GE = 15 V, Ls=32nH, T j =25 O C		19.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			140		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			4.92		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =300A, -di/dt=2516A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j =125 O C		33.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			159		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.35		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =300A, -di/dt=2204A/μs, V GE =-15V Ls=32nH, T j = 175 O C		46.8		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			171		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			13.7		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		21		nH
r CC+EE	Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip		1.80		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.141 0.243	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT )De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.085 0.147 0.009		K/W
m	Montage schroef:M6	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G