Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD300HFQ120C2SD,IGBT Module,STARPOWER

IGBT Module, 1200V 300A, Verpakking: C2

Brand:
Stardragers
Spu:
GD300HFQ120C2SD
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 300A. Ik ben een

Kenmerken

  • Laag VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) Met positief Temperatuur coëfficiënt
  • Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • Schakelmodus voeding
  • Inductieve verwarming
  • Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C = 95 O C

452

300

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

600

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C

1724

W

Diode

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

300

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

600

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t vjmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t vjop

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =300A,V GE =15V, t Vj =25 O C

1.85

2.30

V

I C =300A,V GE =15V, t Vj =125 O C

2.25

I C =300A,V GE =15V, t Vj =150 O C

2.35

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =7.50 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

31.1

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.87

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15…+15V

2.33

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =25 O C

200

n

t r

Opstijgtijd

47

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

245

n

t F

Ouderdom

65

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

20.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

9.15

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =125 O C

206

n

t r

Opstijgtijd

49

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

280

n

t F

Ouderdom

94

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

29.9

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

12.5

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =300A, r G =1.6Ω, Ls=45nH, V GE =±15V,T Vj =150 O C

209

n

t r

Opstijgtijd

51

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

295

n

t F

Ouderdom

105

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

35.1

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

13.6

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =300A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C

1.85

2.30

V

I F =300A,V GE =0V,T Vj =125 O C

1.90

I F =300A,V GE =0V,T Vj =150 O C

1.95

Q r

Hersteld Opladen

V r = 600V,I F =300A,

-di/dt=5570A/μs, V GE = 15 V, LS =45 nH ,t Vj =25 O C

28.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

287

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

8.81

mJ

Q r

Hersteld Opladen

V r = 600V,I F =300A,

-di/dt=4930A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,t Vj =125 O C

44.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

295

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

14.3

mJ

Q r

Hersteld Opladen

V r = 600V,I F =300A,

-di/dt=4580A/μs,V GE = 15 V, LS =45 nH ,t Vj =150 O C

50.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

300

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

16.0

mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

20

nH

r CC+EE

Module loodweerstand, terminal tot chip

0.35

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)

0.087 0.153

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)

0.031 0.055 0.010

K/W

m

het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6

2.5 3.0

5.0 5.0

N.m

G

Gewicht van Module

300

G

Overzicht

image(c3756b8d25).png

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000