GD225HFX120C6S, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 225A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =195 O C	338 225	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	450	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	1071	W

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	225	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	450	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =225A,V GE =15V, t j =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =225A,V GE =15V, t j =125 O C		2.00
		I C =225A,V GE =15V, t j =150 O C		2.05
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.16 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			0.7		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		23.3		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.65		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		1.75		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =225A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		136		n
t r	Opstijgtijd			34		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			372		n
t F	Ouderdom			69		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			5.78		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			16.7		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =225A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		145		n
t r	Opstijgtijd			34		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			461		n
t F	Ouderdom			88		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			10.6		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			26.0		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =225A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		153		n
t r	Opstijgtijd			34		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			490		n
t F	Ouderdom			98		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			12.8		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			28.9		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		900		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =225A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =225A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =225A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =25 O C		25.9		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			345		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			11.8		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =125 O C		49.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			368		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			21.6		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 600V,I F =225A, -di/dt=5600A/μs,V GE = 15 V, t j =150 O C		56.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			391		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			24.5		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		20		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		1.10		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.140 0.203	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT ) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarmingselementen moeten worden gebruikt. De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.030 0.044 0.009		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M5	3.0 3.0		6.0 6.0	N.m
G	Gewicht van Module		350		G