IGBT-module 1200V

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

339

200

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

400

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

1456

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

1200

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

75

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P = 1ms

150

A

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. CES

Spanning van de collectieverzender

650

V.

V. GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V.

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C

@ T C = 95 O C

158

100

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P = 1ms

200

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

441

W

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V. RRM

Herhalende piektalen omgekeerde spanning

650

V.

I F

Diode continue voorwaartscur huur

100

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P = 1ms

200

A

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale temperatuur van de knooppunt

175

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuur Bereik

-40 tot +125

O C

V. iso

Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 Min.

2500

V.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.40

1.85

V.

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.65

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =150 O C

1.70

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =5.0 mA ,V. CE = V. GE , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

3.8

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

20.7

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.58

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

1.56

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

142

n

t r

Opstijgtijd

25

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

352

n

t F

Ouderdom

33

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.21

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.90

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

155

n

t r

Opstijgtijd

29

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

440

n

t F

Ouderdom

61

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.02

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

5.83

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 1. 1Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

161

n

t r

Opstijgtijd

30

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

462

n

t F

Ouderdom

66

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

6.49

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs,V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 800V, V. CEM ≤ 1200V

800

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F =75A,V GE =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V.

I F =75A,V GE =0V,T j = 125O C

1.65

I F =75A,V GE =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

8.7

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

122

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

2.91

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

17.2

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

143

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

5.72

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F =75A,

-di/dt=3500A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

19.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

152

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

6.30

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =25 O C

1.45

1.90

V.

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =125 O C

1.60

I C = 100A,V GE = 15 V, t j =150 O C

1.70

V. GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C = 1.60mA,V CE =V GE , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V.

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld

stroom

V. CE = V. CES ,V. GE =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V. GE = V. GES ,V. CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.0

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V. CE =25V, f=1MHz,

V. GE =0V

11.6

nF

C res

Omgekeerde overdracht

Vermogen

0.23

nF

Q G

Gate-lading

V. GE - Ik ben niet... 15...+15V

0.69

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

44

n

t r

Opstijgtijd

20

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

200

n

t F

Ouderdom

28

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

1.48

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

2.48

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j = 125O C

48

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

216

n

t F

Ouderdom

40

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.24

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.28

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V. CC =400V,I C = 100A, r G = 3,3Ω,V GE =±15V, t j = 150O C

52

n

t r

Opstijgtijd

24

n

t D (Afgeschakeld )

Afsluiting Vertragingstijd

224

n

t F

Ouderdom

48

n

E Aan

Aanzetten Schakelen

Verlies

2.64

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling

Verlies

3.68

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤6μs,V GE = 15 V,

t j =150 O C,V CC =360V, V. CEM ≤ 650 V

500

A

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V. F

Diode naar voren

Spanning

I F = 100A,V GE =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V.

I F = 100A,V GE =0V,T j = 125O C

1.50

I F = 100A,V GE =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j =25 O C

3.57

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

99

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.04

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 125O C

6.49

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

110

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.70

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V. r =400V,I F = 100A,

-di/dt=4070A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V t j = 150O C

7.04

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

110

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.81

mJ

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

kΩ

ΔR/R

Afwijking van r 100

t C = 100 O C,R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

K

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r thJC

Junction-to-Case (per T1, T4 IGBT)

Verbinding Junction-to-Case (per D1,D4 Dio de)

Verbinding Junction-to-Case (per T2, T3 IGBT)

Aansluiting-tot-Gevel (per D2,D3 Dio de)

0.094

0.405

0.309

0.544

0.103

0.446

0.340

0.598

K/W

r thCH

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T1,T4 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D1,D4 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. T2,T3 IGBT)

Gevel-tot-Koeling (per D2,D3 Diode)

De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.126

0.547

0.417

0.733

0.037

K/W

F

Bevestigingskracht Per Klem

40

80

N

G

Gewicht van Module

39

G