GD200HFX120C8SN, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	363 200	A
I CRM	Herhalend De hoogtepunt Verzamelaar stroom tp beperkt Door t vjop	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	1293	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	200	A
I FRM	Herhalend De hoogtepunt Vooruit stroom tp beperkt Door t vjop	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.75	2.20	V
		I C =200A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.00
		I C =200A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.05
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		18.6		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.52		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		1.40		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =25 O C		140		n
t r	Opstijgtijd			31		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			239		n
t F	Ouderdom			188		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			11.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			13.4		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =125 O C		146		n
t r	Opstijgtijd			36		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			284		n
t F	Ouderdom			284		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			19.4		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			18.9		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G =2.0Ω, Ls=50nH, V GE =±15V, T Vj =150 O C		148		n
t r	Opstijgtijd			37		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			294		n
t F	Ouderdom			303		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			21.7		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			19.8		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =200A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90
		I F =200A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=5710A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =25 O C		20.0		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			220		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			7.5		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=4740A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =125 O C		34.3		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			209		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			12.9		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=4400A/μs, Ls=50nH, V GE = 15 V, t Vj =150 O C		38.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			204		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			14.6		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.116 0.185	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.150 0.239 0.046		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M5 Montage-koppel Schroef M5	2.5 2.5		3.5 3.5	N.m
G	Gewicht van Module		200		G