GD200HFX120C2SA_B36, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
Met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C =100 o C	340 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 o C	1190	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarden	Eenheid
T jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	o C
T STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.70	2.15	V
		I C =200A,V GE =15V, T j =125 o C		1.95
		I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.00
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			400	nA
R Gint	Interne poortweerstand aas			3.75		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		20.7		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.58		nF
Q G	Gate-lading	V GE - Ik ben niet... 15...+15V		1.55		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		150		n
t r	Opstijgtijd			32		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			330		n
t f	Ouderdom			93		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			9.7		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.3		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =125 o C		161		n
t r	Opstijgtijd			37		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			412		n
t f	Ouderdom			165		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			20.2		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			17.0		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =1. 1Ω,V GE =±15V, T j =150 o C		161		n
t r	Opstijgtijd			43		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			433		n
t f	Ouderdom			185		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			22.4		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			19.1		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, T j =150 o C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		800		A

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		2.40	2.90	V
		I F =200A,V GE =0V,T j =1 25o C		1.95
		I F =200A,V GE =0V,T j =1 50o C		1.80
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=4950A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C		20.3		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			160		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.0		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=4950A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =125 o C		38.4		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			201		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			14.2		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di/dt=4950A/μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =150 o C		44.2		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			212		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			15.6		mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			20	nH
R CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.35		mΩ
R thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			0.126 0.211	K/W
R thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.032 0.053 0.010		K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		g