GD200HFQ120C2SD, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Schakelmodus voeding
Inductieve verwarming
Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	324 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	1181	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarden	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =200A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C =200A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =8.00 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			3.8		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		21.6		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.59		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15…+15V		1.68		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G = 4,7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T Vj =25 O C		100		n
t r	Opstijgtijd			72		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			303		n
t F	Ouderdom			71		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			26.0		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			6.11		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G = 4,7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T Vj =125 O C		99		n
t r	Opstijgtijd			76		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			325		n
t F	Ouderdom			130		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			33.5		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			8.58		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, r G = 4,7Ω, L s =45 nH , V GE =±15V,T Vj =150 O C		98		n
t r	Opstijgtijd			80		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			345		n
t F	Ouderdom			121		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			36.2		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			9.05		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C,V CC = 800V, V CEM ≤ 1200V		750		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T Vj = 2 5O C		1.85	2.30	V
		I F =200A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90
		I F =200A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Hersteld Opladen	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=1890A/μs,V GE = 15 V, L s =45 nH ,t Vj =25 O C		19.4		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			96		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			5.66		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=1680A/μs,V GE = 15 V, L s =45 nH ,t Vj =125 O C		29.5		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			106		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			8.56		mJ
Q r	Hersteld Opladen	V r = 600V,I F =200A, -di/dt=1600A/μs,V GE = 15 V, L s =45 nH ,t Vj =150 O C		32.2		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			107		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.24		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking			20	nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.35		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.127 0.163	K/W
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.036 0.046 0.010		K/W
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G