GD200FFY120C6SF, IGBT-module, STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1200V 200A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Lage schakellosses
Maximale junctietemperatuur 175℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Schakelmodus voeding
Inductieve verwarming
Elektronische lasser

Absoluut Maximum Beoordelingen T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 o C @ T C = 85 o C	294 200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t p =1 ms	400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T = 175 o C	1056	W

Diode

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
V RRM	Herhalende piektalen omgekeerde spanning	1200	V
I F	Diode continue voorwaartscur huur	200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t p =1 ms	400	A

Module

Symbool	Beschrijving	Waarde	Eenheid
T jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	o C
T - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	o C
T STG	Opslagtemperatuur Bereik	-40 tot +125	o C
V Iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t=1 min.	4000	V

IGBT Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =200A,V GE =15V, T j =25 o C		1.90	2.35	V
		I C =200A,V GE =15V, T j = 125o C		2.40
		I C =200A,V GE =15V, T j =150 o C		2.55
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =5.0 mA ,V CE = V GE , T j =25 o C	5.2	6.0	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld Stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, T j =25 o C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter Stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, T j =25 o C			100	nA
R Gint	Interne poortweerstand aas			3.75		ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		20.7		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.58		nF
Q G	Gate-lading	V GE - Ik ben niet... 15...+15V		1.55		μC
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j =25 o C		374		n
t r	Opstijgtijd			50		n
t d (afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			326		n
t f	Ouderdom			204		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			13.8		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			10.4		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 125o C		419		n
t r	Opstijgtijd			63		n
t d (afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			383		n
t f	Ouderdom			218		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			20.8		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.9		mJ
t d (aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =200A, R G =0.75Ω,V GE =±15V, T j = 150o C		419		n
t r	Opstijgtijd			65		n
t d (afgeschakeld )	Afsluiting Vertragingstijd			388		n
t f	Ouderdom			222		n
E aan	Aanzetten Schakelen Verlies			22.9		mJ
E afgeschakeld	Afschakeling Verlies			11.9		mJ

Diode Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =200A,V GE =0V,T j =25 o C		1.90	2.35	V
		I F =200A,V GE =0V,T j = 125o C		1.90
		I F =200A,V GE =0V,T j = 150o C		1.90
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=3200A⁄μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j =25 o C		10.2		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			90		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			3.40		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=3200A⁄μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 125o C		26.2		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			132		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			9.75		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V R = 600V,I F =200A, -di⁄dt=3200A⁄μs,V GE - Ik ben niet... 15V T j = 150o C		30.4		μC
I RM	Piek omgekeerd Terugwinningstroom			142		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			11.3		mJ

Module Kenmerken T C =25 o C tenzij anders opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	Eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		15		nH
R CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.25		mΩ
R thJC	De verdeling van de in de bijlage vermelde gegevens is gebaseerd op de volgende gegevens: T) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			0.142 0.202	K/W
R thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		0.034 0.048 0.010		K/W
M	Het koppel van de terminalverbinding, Schroef M6 Montage-koppel Schroef M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		g