Alle Categorieën

IGBT-module 1200V

IGBT-module 1200V

homepage /  Producten /  IGBT-module /  IGBT-module 1200V

GD150PIY120C6SN,IGBT Module,STARPOWER

1200V 150A, verpakking: C6

Brand:
Stardragers
Spu:
GD150PIY120C6SN
  • Inleiding
  • Overzicht
  • Equivalent Circuit Schematic
Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 150A. Ik ben een

Kenmerken

  • Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
  • 10 μs kortsluiting
  • VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
  • Maximale aansluittemperatuur 175
  • Geval met lage inductance
  • Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
  • Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

  • andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • met een vermogen van niet meer dan 50 W
  • Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

292

150

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

300

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

1111

W

DIODE-omvormer

Symbool

Beschrijving

Waarden

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

150

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

300

A

Diode-rectifier

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1600

V

I O

Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde

150

A

I FSM

Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T j = 2 5O C @ T j =150 O C

1600

1400

A

I 2t

I 2t-waarde,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C

13000

9800

A 2s

IGBT-rem

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V CES

Spanning van de collectieverzender

1200

V

V GES

Spanning van de poort-emitter

±20

V

I C

Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C

200

100

A

I CM

Pulsed Collectorstroom t P =1 ms

200

A

P D

Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C

833

W

Diode -Rem

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

V RRM

Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd

1200

V

I F

Diode Continuous Forward Cu rrent

50

A

I Fm

Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms

100

A

Module

Symbool

Beschrijving

waarde

eenheid

t jmax

Maximale Junctiontemperatuur (inverter, rem) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)

175

150

O C

t - Jaap.

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

O C

t STG

Opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

O C

V iso

Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

IGBT -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =150A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =150A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =150A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =6.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

2.0

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

15.5

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.44

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

1.17

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

96

n

t r

Opstijgtijd

30

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

255

n

t F

Ouderdom

269

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

8.59

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

12.3

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

117

n

t r

Opstijgtijd

37

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

307

n

t F

Ouderdom

371

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

13.2

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

16.8

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =150A, r G =1. 1Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

122

n

t r

Opstijgtijd

38

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

315

n

t F

Ouderdom

425

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

14.8

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

18.1

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

600

A

Diode -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

Eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =150A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.25

V

I F =150A,V GE =0V,T j =1 25O C

1.90

I F =150A,V GE =0V,T j =1 50O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =150A,

-di/dt=4750A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

8.62

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

177

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

5.68

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =150A,

-di/dt=3950A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

16.7

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

191

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

10.2

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =150A,

-di/dt=3750A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

19.4

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

196

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

12.1

mJ

Diode -gelijkrichter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I C =150A, t j =150 O C

1.00

V

I r

Terugstroom

t j =150 O C,V r =1600V

3.0

mA

IGBT -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V CE (sat)

Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging

I C =100A,V GE =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

I C =100A,V GE =15V, t j =125 O C

1.95

I C =100A,V GE =15V, t j =150 O C

2.00

V GE (th )

De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning

I C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C

5.6

6.2

6.8

V

I CES

Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom

V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C

1.0

mA

I GES

Doorlaat van de poort-emitter stroom

V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Interne poortweerstand aas

7.5

Ω

C ies

Ingangs capaciteit

V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V

10.4

nF

C res

Omgekeerde overdracht Vermogen

0.29

nF

Q G

Gate-lading

V GE =-15 ...+15V

0.08

μC

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C

170

n

t r

Opstijgtijd

32

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

360

n

t F

Ouderdom

86

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

5.90

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

6.05

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C

180

n

t r

Opstijgtijd

42

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

470

n

t F

Ouderdom

165

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

9.10

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

9.35

mJ

t D (Aan )

Tijd voor de inlichtingsachterstand

V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C

181

n

t r

Opstijgtijd

43

n

t d(uit)

Afsluiting Vertragingstijd

480

n

t F

Ouderdom

186

n

E Aan

Aanzetten Schakelen Verlies

10.0

mJ

E Afgeschakeld

Afschakeling Verlies

10.5

mJ

I SC

SC-gegevens

t P ≤ 10 μs, V GE =15V,

t j =150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V

400

A

Diode -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

V F

Diode naar voren Spanning

I F =50A,V GE =0V,T j =25 O C

1.85

2.30

V

I F =50A,V GE =0V,T j =125 O C

1.90

I F =50A,V GE =0V,T j =150 O C

1.95

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V t j =25 O C

6.3

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

62

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

1.67

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V t j =125 O C

10.1

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

69

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

2.94

mJ

Q r

Teruggevorderde heffing

V r = 600V,I F =50A,

-di/dt=1400A/μs,V GE =-15V t j =150 O C

11.5

μC

I RM

Piek omgekeerd

terugwinningstroom

72

A

E rec

Omgekeerd herstel Energie

3.63

mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

r 25

Nominale weerstand

5.0

∆R/R

Afwijking van r 100

t C =100 O C R 100= 493,3Ω

-5

5

%

P 25

Vermogen

dissipatie

20.0

mW

B 25/50

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

K

B 25/80

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

K

B 25/100

B-waarde

r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool

Parameter

Min.

- Een type.

Max.

eenheid

L CE

Inductie van de afwijking

40

nH

r CC+EE r AA + CC

Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip

4.00 3.00

r thJC

Junctie -Om -casus (perIGBT -Inverter ) Aansluiting-tot-Geval (per DIODE-inverter ter) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier) Junctie -Om -casus (perIGBT -Rem )

Aansluiting-naar-gehuise (per Diode-br ake)

0.135 0.300 0.238 0.180 0.472

K/W

r thCH

casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Inverter )Case-naar-Koelplaat (per Diode-i nverter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Rem )

Gehuise-naar-koelsysteem (per Dio de-brake) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)

0.118 0.263 0.208 0.158 0.413 0.009

K/W

m

Montage-koppel Schroef:M5

3.0

6.0

N.m

Overzicht

Equivalent Circuit Schematic

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000

VERWANTE PRODUCTEN

Heb je vragen over producten?

Ons professionele verkoopteam wacht op uw consultatie.
Je kunt hun productlijst volgen en vragen stellen.

Vraag een offerte aan

Vraag een gratis offerte aan

Onze vertegenwoordiger neemt binnenkort contact met u op.
Email
Naam
Bedrijfsnaam
Bericht
0/1000