GD2400SGX170C4S,IGBT-module,Hoogstroom IGBT-module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
AlSiC-basisplaat voor hoogvermogenscyclusvermogen
AlN substraat voor lage thermische weerstand CE

Typische toepassingen

AC-inverteraandrijvingen
Schakelmodus voedingen
Elektronische lassers

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	2206 1200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	2400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	8.77	kW

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	1200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	2400	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatiespanning RMS,f=50Hz,t= 1 minuut	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =1200A,V GE =15V, t j =25 O C		1.85	2.20	V
		I C =1200A,V GE =15V, t j =125 O C		2.25
		I C =1200A,V GE =15V, t j =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =48.0 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			1.0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		145		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		3.51		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		11.3		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =25 O C		440		n
t r	Opstijgtijd			112		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1200		n
t F	Ouderdom			317		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			271		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			295		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =125 O C		542		n
t r	Opstijgtijd			153		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1657		n
t F	Ouderdom			385		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			513		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			347		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r G =1,0Ω, V GE =-9/+15V, L s =65 nH ,t j =150 O C		547		n
t r	Opstijgtijd			165		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1695		n
t F	Ouderdom			407		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			573		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			389		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		4800		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =1200A,V GE =0V, T j =25℃		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V GE =0V, T j =125℃		1.90
		I F =1200A,V GE =0V, T j =150℃		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=10500A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =25℃		190		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			844		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			192		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=7050A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =125℃		327		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			1094		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			263		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V CC = 900V,I F =1200A, -di/dt=6330A/μs,V GE =-9V, L s =65nH,T j =150℃		368		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			1111		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			275		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		12		nH
r CC+EE	Module loodweerstand, terminal tot chip		0.19		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De verdeling van de verpakkingen tussen de verschillende soorten voertuigen (per D) iodum)			17.1 26.2	K/kW
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT )De verwarming van de lucht is niet noodzakelijk. Diode) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		9.9 15.2 6.0		K/kW
m	Vermogensterminal Schroef:M4 Vermogensterminal Schroef:M8 Montage schroef:M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10.0 5.75	N.m
G	Gewicht van Module		1050		G