1200 V

Symbool

beschrijving

GD1200SGL120C3S

eenheden

vCES

Spanning van de collectieverzender

1200

v

vGES

Spanning van de poort-emitter

±20

v

- Ikc

Verzamelstroom

@ Tc=25°C

@ Tc=- Ik ben...100°C

1900

a.

1200

- Ikcm(1)

Pulsed Collectorstroom    tp=- Ik ben...1ms

2400

a.

- Ikf

Diode met continue voorstroom

1200

a.

- Ikfm

Diode Maximale Voorwaartse Stroomhuur

2400

a.

pd

Maximale vermogensafvoer    @ Tj=- Ik ben...175°C

8823

w

tsc

Kortsluitbestendigheidstijd    @ Tj=125°C

10

μs

tj

Werktemperatuur van de knooppunt

-40 tot +150

°C

tSTG

opslagtemperatuurbereik

-40 tot +125

°C

- Ik2t-waarde, Diode

vr=0V, t=10ms, Tj=125°C

300

Ka2s

viso

Isolatiespanning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

v

montage

koppel

Voedingsklem Schroef:M4

Vermogensterminalschroef:M8

1.7 tot- Ik ben...2.3

8,0 tot- Ik ben...10

n.m.

montage- Ik ben...Schroef:M6

4.25 tot- Ik ben...5.75

n.m.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

BV- Ik ben...CES

Collector-Emitter

breukspanning

tj=25°C

1200

- Ik ben...

- Ik ben...

v

- IkCES

Verzamelaar- Ik ben...gesneden- Ik ben er.Afgeschakeld- Ik ben...stroom

v- De=vCES- Ja.vGE=0V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

- Ik ben...

5.0

- Ik ben...

- IkGES

Doorlaat van de poort-emitter

stroom

vGE=vGES- Ja.v- De=0V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

- Ik ben...

800

- Nee.

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

vGE(De)

De grenswaarde voor de poort-emitter

Spanning

- Ikc=48.0- Ik ben...- Ja.v- De=vGE- Ja.tj=25°C

5.0

6.5

7.0

v

- Ik ben...

- Ik ben...

vCE (sat)

- Ik ben...

Verzamelaar naar uitgevende instelling

Voltage van de verzadiging

- Ikc=- Ik ben...1200A,VGE=15V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

1.9

- Ik ben...

- Ik ben...

- Ik ben...

v

- Ikc=- Ik ben...1200A,VGE=15V,- Ik ben...tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

2.1

- Ik ben...

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

rGint

Interne poortweerstand

tj=25°C

- Ik ben...

1.2

- Ik ben...

Oh

QGE

Gate-lading

- Ikc=- Ik ben...1200A,V- De=600V,- Ik ben...vGE- Ik ben niet...- Ik ben...15...+15V

- Ik ben...

12.5

- Ik ben...

μC

td(op)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

vcc= 600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE- Ik ben...=- Ik ben...±15 V,- Ik ben...tj=25°C

- Ik ben...

790

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

170

- Ik ben...

n

td(Afgeschakeld)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

1350

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

180

- Ik ben...

n

td(op)

Tijd voor de inlichtingsachterstand

- Ik ben...

- Ik ben...

vcc= 600V,Ic=1200A,

rg=0.82Ω,VGE- Ik ben...=±15- Ik ben...v,- Ik ben...

tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

850

- Ik ben...

n

tr

Opstijgtijd

- Ik ben...

170

- Ik ben...

n

td(Afgeschakeld)

Afsluiting- Ik ben...vertragingstijd

- Ik ben...

1500

- Ik ben...

n

tf

Ouderdom

- Ik ben...

220

- Ik ben...

n

eop

Aanzetten- Ik ben...Schakelverlies

- Ik ben...

155

- Ik ben...

MJ

eAfgeschakeld

Uitschakel schakelverlies

- Ik ben...

190

- Ik ben...

MJ

c- Ja.

Ingangs capaciteit

- Ik ben...

v- De=25V, f=1MHz,

vGE=0V

- Ik ben...

92.0

- Ik ben...

nF

coes

Uitgangscondensator

- Ik ben...

8.40

- Ik ben...

nF

cRes

Omgekeerde overdracht

Vermogen

- Ik ben...

6.10

- Ik ben...

nF

- Ik ben...

- Iksc

- Ik ben...

SC-gegevens

tsc≤10μs,VGE=15V, - Ik ben...tj=125°C- Ja.

vcc= 900V,- Ik ben...vCEM≤1200 V

- Ik ben...

- Ik ben...

7000

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

Ik...- De

Inductie van de afwijking

- Ik ben...

- Ik ben...

15

- Ik ben...

- Nee.

rcc+EE- Ik ben...'

Module leidingweerstande,- Ik ben...Terminal naar chip

tc=25°C,per schakelaar

- Ik ben...

0.10

- Ik ben...

mOh

Symbool

Parameter

Testomstandigheden

Min.

- Een type.

Max.

eenheden

vf

Diode naar voren

Spanning

- Ikf=- Ik ben...1200a

tj=25°C

- Ik ben...

1.9

- Ik ben...

v

tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

2.1

- Ik ben...

Qr

Diode omgekeerd

terugvorderingsheffing

- Ik ben...

- Ikf=- Ik ben...1200A,

vr=600V,

di/dt=-6800A/μs,- Ik ben...vGE- Ik ben niet...- Ik ben...15v

tj=25°C

- Ik ben...

110

- Ik ben...

μC

tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

220

- Ik ben...

- Ik ben...

- IkRM

Diode piek

Omgekeerd herstel- Ik ben...stroom

tj=25°C

- Ik ben...

760

- Ik ben...

- Ik ben...

a.

tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

990

- Ik ben...

erec

Omgekeerd herstel- Ik ben...energie

tj=25°C

- Ik ben...

47

- Ik ben...

MJ

tj=- Ik ben...125°C

- Ik ben...

82

- Ik ben...

Symbool

Parameter

- Een type.

Max.

eenheden

rθJC

Junctie-naar-Behuising (IGBT Deel, per Module)

- Ik ben...

0.017

K/W

rθJC

Junctie-naar-Behuising (Diode Deel, per Module)

- Ik ben...

0.025

K/W

rθCss

De waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van de waarde van

(Geconducteerde vet aangebracht, permodule)

0.006

- Ik ben...

K/W

gewicht

gewicht- Ik ben...van- Ik ben...module

1500

- Ik ben...

g