GD2400SGX170C4S,IGBT-module,Hoogstroom IGBT-module,STARPOWER

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,gemaakt door STARPOWER. 1 700V 1200A ,A3 .

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale temperatuur van de verbinding 175oC
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

Vervaardiging van elektrische apparaten
Motorbesturingen
Windturbines

Absoluut Maximum Beoordelingen t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1700	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	1965 1200	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	2400	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T Vj = 175 O C	6.55	kW

Diode

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1700	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	1200	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	2400	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t vjmax	Maximale temperatuur van de knooppunt	175	O C
t vjop	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	4000	V

IGBT Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =1200A,V GE =15V, t Vj =25 O C		1.85	2.30	V
		I C =1200A,V GE =15V, t Vj =125 O C		2.25
		I C =1200A,V GE =15V, t Vj =150 O C		2.35
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =48.0 mA ,V CE = V GE , t Vj =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t Vj =25 O C			5.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t Vj =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			1.6		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		142		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=100kHz, V GE =0V		3.57		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		11.8		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r Gaat u goed? = 1,5Ω, r Goff. = 3,3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj =25 O C		700		n
t r	Opstijgtijd			420		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1620		n
t F	Ouderdom			231		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			616		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			419		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r Gaat u goed? = 1,5Ω, r Goff. = 3,3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj =125 O C		869		n
t r	Opstijgtijd			495		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			1976		n
t F	Ouderdom			298		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			898		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			530		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 900V,I C =1200A, r Gaat u goed? = 1,5Ω, r Goff. = 3,3Ω, V GE =-10/+15V, L s =110nH,T Vj =150 O C		941		n
t r	Opstijgtijd			508		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			2128		n
t F	Ouderdom			321		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			981		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			557		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t Vj =150 O C ,V CC =1000V, V CEM ≤ 1700V		4800		A

Diode Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =1200A,V GE =0V,T Vj =25 O C		1.80	2.25	V
		I F =1200A,V GE =0V,T Vj =125 O C		1.90
		I F =1200A,V GE =0V,T Vj =150 O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =1200A, -di/dt=2430A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj =25 O C		217		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			490		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			108		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =1200A, -di/dt=2070A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj =125 O C		359		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			550		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			165		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 900V,I F =1200A, -di/dt=1970A/μs,V GE =-10V, L s =110nH,T Vj =150 O C		423		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			570		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			200		mJ

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		20		nH
r CC+EE	Module Loodweerstand, Terminal naar chip		0.37		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT ) De in punt 2 bedoelde verpakking is niet geschikt voor de toepassing van de volgende voorwaarden: (de)			22.9 44.2	K/kW
r thCH	De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. IGBT) De in punt 3.4.1 bedoelde verwarming moet worden uitgevoerd. r Diode) De verwarming van de verwarming is niet verplicht. (geïntegreerd)		18.2 35.2 6.0		K/kW
m	het koppel van de terminalverbinding, Schroef M4 het koppel van de terminalverbinding, Schroef M8 Montage-koppel Schroef M6	1.8 8.0 4.25		2.1 10 5.75	N.m
G	Gewicht van Module		1500		G