IGBT-module 1200V

GD100PIX120C6SNA,IGBT Module,STARPOWER

1200V 150A, verpakking: C6

Brand:

Stardragers

Spu:

GD100PIX120C6SNA

Inleiding
Overzicht
Equivalent Circuit Schematic

Inleiding

Kort inleiding

IGBT-module ,geproduceerd door Stardragers . 1200V 100A. Ik ben een

Kenmerken

Low VCE (sat) Trench IGBT-technologie
10 μs kortsluiting
VCE (sat) met positieve temperatuurcoëfficiënt
Maximale aansluittemperatuur 175 ℃
Geval met lage inductance
Vaste en zachte omgekeerde terugwinning anti-parallelle FWD
Geïsoleerde koperen basisplaat met behulp van DBC-technologie

Typische toepassingen

andere, met een vermogen van niet meer dan 50 W
met een vermogen van niet meer dan 50 W
Ononderbroken voeding

Absoluut Maximum Beoordelingen t F =25 O C tenzij anders Opgemerkt

IGBT-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	155 100	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	200	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	511	W

DIODE-omvormer

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	100	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	200	A

Diode-rectifier

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1600	V
I O	Gemiddelde uitvoerstroom 5 0Hz/60Hz, sinusoïde	100	A
I FSM	Surge Vooruitstroom t P =10ms @ T j = 25O C @ T j =150 O C	1150 880	A
I 2t	I 2t-waarde,t P =10ms @ T j =25 O C @ T j =150 O C	6600 3850	A 2s

IGBT-rem

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V CES	Spanning van de collectieverzender	1200	V
V GES	Spanning van de poort-emitter	±20	V
I C	Verzamelaarsstroom @ T C =25 O C @ T C =100 O C	87 50	A
I CM	Pulsed Collectorstroom t P =1 ms	100	A
P D	Maximale vermogensafvoer @ T j = 175 O C	308	W

Diode -Rem

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
V RRM	Herhalende piek omgekeerde volt Leeftijd	1200	V
I F	Diode Continuous Forward Cu rrent	25	A
I Fm	Diode Maximale Voorwaartse Stroom t P =1 ms	50	A

Module

Symbool	Beschrijving	waarde	eenheid
t jmax	Maximale Junctiontemperatuur (inverter, rem) Maximale junctiontemperatuur (rectifier)	175 150	O C
t - Jaap.	Werktemperatuur van de knooppunt	-40 tot +150	O C
t STG	Opslagtemperatuurbereik	-40 tot +125	O C
V iso	Isolatie Spanning RMS,f=50Hz,t =1min	2500	V

IGBT -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =100A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =100A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =100A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =4.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand aas			7.5		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		10.4		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.29		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.78		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		218		n
t r	Opstijgtijd			35		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			287		n
t F	Ouderdom			212		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			9.23		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			6.85		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		242		n
t r	Opstijgtijd			41		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			352		n
t F	Ouderdom			323		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			13.6		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			9.95		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =100A, r G =1.6Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		248		n
t r	Opstijgtijd			43		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			365		n
t F	Ouderdom			333		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			14.9		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			10.5		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		400		A

Diode -Inverter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 25O C		1.90
		I F =100A,V GE =0V,T j =1 50O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=2500A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		5.89		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			103		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			3.85		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=2100A/μs,V GE =-15V t j =125 O C		13.7		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			109		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			6.64		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =100A, -di/dt=1950A/μs,V GE =-15V t j =150 O C		15.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			109		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			7.39		mJ

Diode -gelijkrichter Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =100A, t j =150 O C		0.95		V
I r	Terugstroom	t j =150 O C,V r =1600V			2.0	mA

IGBT -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V CE (sat)	Verzamelaar naar uitgevende instelling Voltage van de verzadiging	I C =50A,V GE =15V, t j =25 O C		1.70	2.15	V
		I C =50A,V GE =15V, t j =125 O C		1.95
		I C =50A,V GE =15V, t j =150 O C		2.00
V GE (th )	De grenswaarde voor de poort-emitter Spanning	I C =2.00 mA ,V CE = V GE , t j =25 O C	5.6	6.2	6.8	V
I CES	Verzamelaar Snijden -Afgeschakeld stroom	V CE = V CES ,V GE =0V, t j =25 O C			1.0	mA
I GES	Doorlaat van de poort-emitter stroom	V GE = V GES ,V CE =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Interne poortweerstand			0		Ω
C ies	Ingangs capaciteit	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		5.18		nF
C res	Omgekeerde overdracht Vermogen	V CE =25V, f=1MHz, V GE =0V		0.15		nF
Q G	Gate-lading	V GE =-15 ...+15V		0.39		μC
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =25 O C		171		n
t r	Opstijgtijd			32		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			340		n
t F	Ouderdom			82		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			6.10		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			2.88		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =125 O C		182		n
t r	Opstijgtijd			43		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			443		n
t F	Ouderdom			155		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.24		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			4.43		mJ
t D (Aan )	Tijd voor de inlichtingsachterstand	V CC = 600V,I C =50A, r G =15Ω,V GE =±15V, t j =150 O C		182		n
t r	Opstijgtijd			43		n
t d(uit)	Afsluiting Vertragingstijd			464		n
t F	Ouderdom			175		n
E Aan	Aanzetten Schakelen Verlies			8.99		mJ
E Afgeschakeld	Afschakeling Verlies			4.94		mJ
I SC	SC-gegevens	t P ≤ 10 μs, V GE =15V, t j =150 O C,V CC = 900V, V CEM ≤ 1200V		200		A

Diode -Rem Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
V F	Diode naar voren Spanning	I F =25A,V GE =0V,T j =25 O C		1.85	2.30	V
		I F =25A,V GE =0V,T j =125 O C		1.90
		I F =25A,V GE =0V,T j =150 O C		1.95
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =25 O C		2.9		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			55		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			0.93		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =125 O C		5.1		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			58		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			1.72		mJ
Q r	Teruggevorderde heffing	V r = 600V,I F =25A, -di/dt=900A/μs,V GE =-15V t j =150 O C		5.6		μC
I RM	Piek omgekeerd terugwinningstroom			60		A
E rec	Omgekeerd herstel Energie			2.01		mJ

NTC Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Testomstandigheden	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
r 25	Nominale weerstand			5.0		kΩ
∆R/R	Afwijking van r 100	t C =100 O C R 100= 493,3Ω	-5		5	%
P 25	Vermogen dissipatie				20.0	mW
B 25/50	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/50 1/T 2- 1/(298.15K))]		3375		K
B 25/80	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/80 1/T 2- 1/(298.15K))]		3411		K
B 25/100	B-waarde	r 2=R 25Uitgave [B 25/100 1/T 2- 1/(298.15K))]		3433		K

Module Kenmerken t C =25 O C tenzij anders Opgemerkt

Symbool	Parameter	Min.	- Een type.	Max.	eenheid
L CE	Inductie van de afwijking		40		nH
r CC+EE r AA + CC ’	Module leidingweerstand nce,Terminal naar Chip		4.00 3.00		mΩ
r thJC	Junctie -Om -casus (perIGBT -Inverter ) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-invert er) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-re ctifier) Junctie -Om -casus (perIGBT -Rem -Helikopter ) Verbinding Junction-naar-Case (per Diode-brake-chop per)			0.293 0.505 0.503 0.487 1.233	K/W
r thCH	casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Inverter ) Kast-naar-koelribben (per Diode-in verter) Case-naar-Koelplaat (per Diode-re ctifier) casus -Om -Verwarmingssink (perIGBT -Rem -Helikopter )Kast-naar-koelribben (per Dioderegel- chopper) De verwarming van de verwarming is niet noodzakelijk. Module)		0.124 0.214 0.213 0.207 0.523 0.009		K/W
m	Montage-koppel Schroef:M5	3.0		6.0	N.m
G	Gewicht van Module		300		G